电容器制造方法
发布时间：2025-12-05 11:14:48 人气：17
电容器制造方法
专利类型：
发明授权
申请(专利)号：
CN202111520468.X
申请日：
2021-12-13
授权公告号：
CN114630501B
授权公告日：
2025-12-05
申请人：
地址：
法国图尔
发明人：
专辑：
信息科技
专题：
无线电电子学
主分类号：
H05K3/06
分类号：
H05K3/06;H05K3/04;H01G4/30
国省代码：
FR0ILTOU
页数：
14
代理机构：
北京市金杜律师事务所
代理人：
黄海鸣
优先权：
2020-12-14 FR 2013214;2021-12-03 US 17/542,170
主权项：
1.一种方法,包括：形成电容器,包括：形成堆栈,包括：在基板的第一表面上形成第一导电层,所述第一导电层包括铝或铝基合金；在所述第一导电层的第二表面上形成第一电极；在所述第一电极上形成第一介电层；以及在所述第一介电层上形成第二电极；通过化学等离子体蚀刻来蚀刻所述堆栈的上部,所述化学等离子体蚀刻在到达所述第一导电层的第二表面之前被停住；以及通过物理等离子体蚀刻来蚀刻所述堆栈的下部,所述物理等离子体蚀刻在所述第一导电层的所述第二表面处被停住。
摘要：
本说明书涉及一种电容器制造方法,包括以下步骤：a)形成堆栈,该堆栈从基板的上表面起依次包括由铝或铝基合金制成的第一导电层、第一电极、第一介电层和第二电极；b)通过化学等离子体蚀刻对堆栈的上部进行蚀刻,所述化学等离子体蚀刻在第一导电层的上表面之前中断；和c)通过物理等离子体蚀刻对堆栈的下部进行蚀刻,所述物理等离子体蚀刻在第一导电层的上表面中断。
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本领域科技成果与标准
科技成果
相关标准
科技成果共1条
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研究与应用
本专利研制背景
本专利应用动态
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