用于对三维特征进行成像的方法和系统
发布时间：2025-12-02 12:24:46 人气：14
用于对三维特征进行成像的方法和系统
专利类型：
发明授权
申请(专利)号：
CN202011601367.0
申请日：
2020-12-30
授权公告号：
CN114689630B
授权公告日：
2025-12-02
申请人：
FEI 公司
地址：
美国俄勒冈州
发明人：
专辑：
工程科技Ⅰ辑
专题：
材料科学
主分类号：
G01N23/2202
分类号：
G01N23/2202;G01N23/2251
国省代码：
US0OR000
页数：
21
代理机构：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人：
张凌苗;周学斌
主权项：
1.一种用于对样品进行成像的方法,其包括：将第一基准定位在第一样品深度处的第一样品表面上；去除所述第一样品表面的至少一部分以暴露第二样品表面；在所述第二样品表面上形成第二基准；去除所述第二样品表面的至少一部分以在第三样品深度处暴露包括所关注区域(ROI)的第三样品表面；获取包括所述第二基准和在所述第三样品深度处的所述ROI的第一样品图像；以及基于所述第一基准相对于所述第二基准的第一位置、和在所述第一样品图像中在所述第三样品深度处的所述ROI相对于所述第二基准的第二位置,来确定在所述第三样品深度处的所述ROI相对于所述第一基准的位置。
摘要：
用于对三维特征进行成像的方法和系统。用于基于在不同样品深度处的多个基准来铣削样品和对样品进行成像的方法和系统包括：在第一样品深度处的第一样品表面上形成第一基准；铣削所述样品表面的至少一部分以在第二样品深度处暴露第二样品表面；在所述第二样品表面上形成第二基准；以及铣削所述第二样品表面的至少一部分以在第三样品深度处暴露包括所关注区域(ROI)的第三样品表面。可基于所述ROI和所述第二基准的图像以及所述第一基准与所述第二基准之间的相对位置来计算在所述第三样品深度处的所述ROI相对于所述第一基准的位置。
查看法律状态
相似专利
[1] 用于对三维特征进行成像的方法和系统. 钟祯新;高海峰;林映红;张瑞心;吴冰星.中国专利:CN114689630A,2022-07-01
本领域科技成果与标准
科技成果
相关标准
未找到相关数据
研究与应用
本专利研制背景
本专利应用动态
所涉核心技术研究动态
