包括氮化镓功率晶体管的单片式组件
发布时间：2025-12-02 12:30:17 人气：16
包括氮化镓功率晶体管的单片式组件
专利类型：
发明公开
申请(专利)号：
CN202511185073.7
申请日：
2020-06-18
申请公布号：
CN121057283A
申请公布日：
2025-12-02
申请人：
意法半导体应用有限公司; 意法半导体(图尔)公司
地址：
德国阿什海姆
发明人：
专辑：
工程科技Ⅱ辑
专题：
工业通用技术及设备
主分类号：
H10D84/80
分类号：
H10D84/80;H10D84/05;H02M1/00;H02M1/08;H02M1/32
国省代码：
DE0BYKEH
页数：
19
代理机构：
北京市金杜律师事务所
代理人：
姚宗妮
优先权：
2019-06-19 FR 1906589
分案原申请号：
202010561803.X 2020.06.18
主权项：
1.一种电子组件,包括：氮化镓衬底；铝镓氮化物层；第一连接端子和第二连接端子,位于所述氮化镓衬底上；场效应功率晶体管,位于所述氮化镓衬底上并且包括栅极结构、源极和漏极,所述栅极结构直接位于所述氮化镓衬底上并且并包括栅极电介质层和栅极电极；钝化层,在所述场效应功率晶体管的所述栅极结构上；第一肖特基二极管,位于所述氮化镓衬底上并耦合在所述第一连接端子与所述场效应功率晶体管的所述栅极电极之间并且耦合到所述第一连接端子和所述场效应功率晶体管的所述栅极电极两者；第二肖特基二极管,位于所述氮化镓衬底上并且耦合在所述第二连接端子与所述场效应功率晶体管的所述栅极电极之间并且耦合到所述第二连接端子与所述场效应功率晶体管的所述栅极电极两者,所述场效应功率晶体管的所述源极和所述漏极、以及所述第一肖特基二极管和所述第二肖特基二极管中的每个肖特基二极管的阴极端子位于在所述钝化层中延伸至所述氮化镓衬底的相应沟槽中,所述第一肖特基二极管和所述第二肖特基二极管的阳极端子位于在所述钝化层中延伸至所述铝镓氮化物层的相应沟槽中。
摘要：
本公开涉及包括氮化镓功率晶体管的单片式组件。单片式组件包括场效应功率晶体管、以及在氮化镓衬底内部和顶部的至少一个第一肖特基二极管。
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