相变存储器
发布时间：2025-11-28 12:30:44 人气：14
相变存储器
专利类型：
发明授权
申请(专利)号：
CN202210592715.5
申请日：
2022-05-27
授权公告号：
CN115411180B
授权公告日：
2025-11-28
申请人：
地址：
法国克洛尔
发明人：
专辑：
工程科技Ⅱ辑
专题：
工业通用技术及设备
主分类号：
H10N70/00
分类号：
H10N70/00;H10B63/10
国省代码：
FR0ISCLL
页数：
13
代理机构：
北京市金杜律师事务所
代理人：
董莘
优先权：
2021-05-28 FR 2105618;2022-05-23 US 17/751,190
主权项：
1.一种用于制造存储器单元的方法,包括：(a)形成包括由相变材料制成的第一层和由导电材料制成的第二层的堆叠；(b)在所述堆叠上形成第一掩模,所述第一掩模仅覆盖所述存储器单元的位置；以及(c)蚀刻所述堆叠的、未被所述第一掩模覆盖的部分；其中步骤b)包括：在所述堆叠上沉积由与所述第一掩模相同的材料制成的第四层；形成第二掩模,所述第二掩模在第一方向上延伸,并且覆盖所述存储器单元的位置；蚀刻所述第四层的、未被所述第二掩模覆盖的部分；形成第三掩模,所述第三掩模在第二方向上延伸,并且覆盖所述存储器单元的位置；以及蚀刻所述第四层的、未被所述第三掩模覆盖的部分。
摘要：
本公开的实施例涉及相变存储器。存储器单元由以下制造：(a)形成包括由相变材料制成的第一层和由导电材料制成的第二层的堆叠；(b)在堆叠上形成仅覆盖存储器单元位置的掩模；以及(c)蚀刻堆叠的、未被第一掩模覆盖的部分。仅覆盖存储器单元位置的掩模的形成包括针对存储器单元位置的每排限定在排方向上延伸的第一掩模,并且接着针对存储器单元位置的每列在列方向上图案化第一掩模。
查看法律状态
相似专利
未找到相关数据
本领域科技成果与标准
科技成果
相关标准
未找到相关数据
研究与应用
本专利研制背景
本专利应用动态
所涉核心技术研究动态
期刊共11条
[1] 原位制备量子器件的掩模光刻（英文）. 何庆林.真空科学与技术学报,2023(03)
[2] 模糊掩模及其与传统掩模的关系. 袁崇谦;周建勋;韩波.遥感技术与应用,2009(04)
[3] PD光掩模版的研制和应用. 刘元奎.四川大学学报(自然科学版),1978(Z1)
[4] 金刚石膜同步辐射X-射线掩模的研究进展. 万静,立,冉均国.四川师范大学学报(自然科学版),2001(06)
[5] 原位制备量子器件的掩模光刻(英文). 何庆林.真空科学与技术学报
[6] 用于X射线光刻掩模的纳米金刚石膜成核研究. 李东辉,刘志凌,叶甜春,陈大鹏,吕反修.无机材料学报,2004(04)
[7] 基于稀疏掩模Transformer的遥感图像目标检测方法. 刘旭伦;马时平;何林远;王晨;贺旭;陈哲.激光与光电子学进展,2022(22)
[8] 非晶碳薄膜在芯片制程中作为硬掩模应用的特性研究. 蒋征;张亚梅;李培培;叶五毛;丁士进.微纳电子与智能制造,2022(01)
[9] 信息熵-低通滤波联合掩模云层干扰去除方法. 李静;李颖.中国光学(中英文),2024(05)
[10] 基于NSCT的反锐化掩模遥感图像增强方法. 蒲晓婷;贾振红;覃锡忠;杨杰;胡英杰.激光杂志,2012(05)
硕博共5条
[1] 基于表面起皱相位掩模实现高级表面起伏光栅微结构的可控构筑. 赵晓昕.天津大学,2020
[2] 光刻胶全息光栅掩模槽形的控制和检测. 陈刚.苏州大学,2006
[3] 基于多角度偏振数据的云参数反演研究. 常钰阳.中国科学技术大学,2020
[4] 遥感云图感兴趣区域压缩算法研究. 赵威.西安电子科技大学,2017
[5] 丝素蛋白基多维微流控芯片的胶带掩模辅助刻蚀的制备及其应用. 周梦圆.西南大学,2022
会议共3条
[1] 基于模糊掩模方法的遥感图像预处理研究. 袁崇谦.第四届图像图形与应用学术会议,2009
[2] X射线掩模用金刚石膜的性能. 苟立;万静;冉均国.第四届中国功能材料及其应用学术会议,2001
[3] 用于激光直写灰度掩模的二元金属薄膜的制备及光学性质. 马锋;罗崇泰;王多书;陈焘;叶自煜;刘宏开;李锦磊;熊玉卿.中国真空学会2008年学术年会,2008
