相变存储器
发布时间：2025-11-25 12:36:32 人气：4
相变存储器
专利类型：
发明授权
申请(专利)号：
CN202210763370.5
申请日：
2022-06-29
授权公告号：
CN115633508B
授权公告日：
2025-11-25
申请人：
地址：
法国克洛尔
发明人：
专辑：
工程科技Ⅱ辑
专题：
工业通用技术及设备
主分类号：
H10B63/10
分类号：
H10B63/10;H10N70/00
国省代码：
FR0ISCLL
页数：
15
代理机构：
北京市金杜律师事务所
代理人：
董莘
优先权：
2021-06-30 FR 2107027;2022-06-22 US 17/847,016
主权项：
1.一种用于制造相变存储器的方法,包括：形成相变存储器单元的阵列,每个单元与所述阵列的同一行中的相邻单元以及与所述阵列的同一列中的相邻单元间隔第一距离；以及在每行或每列中蚀刻N个存储器单元中的一个存储器单元,其中N至少为2。
摘要：
公开了一种相变存储器。一种用于制造相变存储器的方法,包括形成相变存储器单元阵列的步骤,每个单元与阵列的同一行中的相邻单元间隔相同的第一距离并与阵列的同一列中的相邻单元间隔相同的第一距离。该方法还包括在每行或每列中蚀刻N个存储器单元中的一个存储器单元,其中N至少等于2。
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研究与应用
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