沟槽存储器中位可擦嵌入式选择
发布时间：2025-11-18 11:10:20 人气：31
沟槽存储器中位可擦嵌入式选择
专利类型：
发明授权
申请(专利)号：
CN202210382257.2
申请日：
2022-04-12
授权公告号：
CN115206985B
授权公告日：
2025-11-18
申请人：
地址：
法国鲁塞
发明人：
专辑：
工程科技Ⅱ辑
专题：
工业通用技术及设备
主分类号：
H10B43/30
分类号：
H10B43/30;G11C16/10;G11C16/06
国省代码：
FR0HARST
页数：
27
代理机构：
北京市金杜律师事务所
代理人：
董莘
优先权：
2021-04-13 FR 2103797;2022-03-21 US 17/700,323
主权项：
1.一种存储器单元,包括：第一导电类型的第一掺杂阱,与第二导电类型的第二掺杂阱接触,所述第二导电类型与所述第一导电类型相反；所述第二导电类型的第三掺杂阱,与所述第一导电类型的第四掺杂阱接触；第一壁,与所述第二掺杂阱和所述第四掺杂阱接触,所述第一壁包括导电芯或半导体芯和绝缘护套；层的堆叠,包括至少部分覆盖所述第二掺杂阱和所述第四掺杂阱的第一绝缘层、第一半导体层、第二绝缘层和第二半导体层；以及第三半导体层,位于所述第二掺杂阱和所述第四掺杂阱以及所述第一壁的下方。
摘要：
本公开涉及沟槽存储器中位可擦嵌入式选择。在实施例中,存储器单元包括与第二导电类型的第二掺杂阱接触的第一导电类型的第一掺杂阱,第二导电类型与第一导电类型相反,与第一导电类型的第四掺杂阱接触的第二导电类型的第三掺杂阱,与第二阱和第四阱接触的第一壁,第一壁包括导电的或半导体芯和绝缘护套,层的堆叠包括至少部分覆盖第二阱和第四阱的第一绝缘层、第一半导体层、第二绝缘层和第二半导体层,以及位于第二阱和第四阱以及第一壁下方的第三半导体层。
查看法律状态
相似专利
[1] 存储器单元及存储器. F·梅鲁尔;A·马扎基;M·阿克巴尔.中国专利:CN218302084U,2023-01-13
本领域科技成果与标准
科技成果
相关标准
未找到相关数据
研究与应用
本专利研制背景
本专利应用动态
所涉核心技术研究动态
期刊共9条
[1] 喷雾热解法制备p型铟锡氧化物透明导电薄膜. 季振国;赵丽娜;何作鹏;陈琛;周强.无机材料学报,2006(01)
[2] 电子束法制备Znln_2Se_4薄膜及其性质的研究. 张瑞峰,肖树义,关兴国.太阳能学报,1985(01)
[3] 真空蒸发法制备CdTe薄膜的光电特性. 杨笛,李蓉萍,李琦.内蒙古大学学报(自然科学版),2002(01)
[4] EBV法制备Znln_2S_4薄膜的性质研究. 张瑞峰，李兴林，于亚莉，王给祥.太阳能学报,1994(02)
[5] 真空蒸发制备ZnTe纳米薄膜. 李忠贤;李蓉萍;吴蓉.信息记录材料,2009(04)
[6] 磁控溅射金属预置层后硒化制备Cu_2ZnSnSe_4薄膜. 李志山;王书荣;蒋志;杨敏;刘思佳;郭任君;唐语;郝瑞亭;杨培志.硅酸盐通报,2015(S1)
[7] 铟磷共掺杂p型氧化锌薄膜形成机理和性质(英文). 陈足红;姚斌;郑昌佶;杨通;赵婷婷;单崇新;张振中;李炳辉;张吉英;申德振.发光学报,2009(01)
[8] 锂掺杂对氧化铜薄膜光电性能的影响. 向玉春;朱建雷;刘晓静.光学与光电技术
[9] Li掺杂ZnO薄膜的导电和发光特性. 王相虎;姚斌;申德振;张振中;吕有明;李炳辉;魏志鹏;张吉英;赵东旭;范希武.发光学报,2006(06)
硕博共10条
[1] p型ZnO:Sb薄膜制备与热电性能研究. 肖琳.东北大学,2018
[2] 射频磁控溅射法制备氮掺杂氧化锌薄膜及其性能研究. 陈奇.牡丹江师范学院,2010
[3] Cu_3P的制备与光电性能研究. 彭雪.杭州电子科技大学,2023
[4] Mn、Co、Al掺杂SiC薄膜制备及其光敏性质研究. 赵兴亮.天津理工大学,2010
[5] 稀土掺杂ZnTe纳米薄膜制备及特性研究. 李忠贤.内蒙古大学,2009
[6] SnS_xSe_(2-x)薄膜制备及其光电化学性能研究. 龚慧培.上海大学,2023
[7] N-Al共掺p型ZnO薄膜制备及形成机理研究. 张锦川.河北大学,2008
[8] 非晶化合物半导体薄膜及其性质. 王俪蓉.西安工业大学,2012
[9] 富锌条件下氮掺杂氧化锌薄膜的制备及光电特性的研究. 樊晓峰.中国科学院研究生院（长春光学精密机械与物理研究所）,2006
[10] 硒氧化物薄膜生长及性能调控研究. 白如玉.电子科技大学,2022
会议共1条
[1] 退火处理导致的La_(1-x-y)Ca_xK_yMnO_3薄膜导电类型转变. 吴小峰;黄科科;胡滨;侯长民;刘绍孔;初学峰;袁宏明;冯守华.第十六届全国高技术陶瓷学术年会,2010
