静电保护
发布时间：2025-11-11 11:17:00 人气：20
静电保护
专利类型：
发明授权
申请(专利)号：
CN202110029400.5
申请日：
2021-01-11
授权公告号：
CN113178441B
授权公告日：
2025-11-11
申请人：
地址：
法国图尔
发明人：
专辑：
工程科技Ⅱ辑
专题：
工业通用技术及设备
主分类号：
H10D89/60
分类号：
H10D89/60
国省代码：
FR0ILTOU
页数：
13
代理机构：
北京市金杜律师事务所
代理人：
王茂华
优先权：
2020-01-09 FR 2000159
主权项：
1.一种电子设备,包括：第一堆叠,形成齐纳二极管,所述第一堆叠包括第一导电类型的衬底,所述衬底具有在所述衬底中的第二导电类型的第一区域,所述第一区域具有与所述衬底的表面齐平的表面；第二堆叠,形成二极管,所述第二堆叠位于所述衬底的所述表面上并且与所述衬底的所述表面接触,并且所述第二堆叠包括所述第二导电类型的第一层,所述第一层具有在所述第一层中的所述第一导电类型的第二区域,所述第二区域具有与所述第一层的表面齐平并且与所述第一堆叠相对的表面；以及第三堆叠,至少包括由半绝缘多晶硅制成的第二层,所述第二层在所述第二堆叠上并且与所述第二堆叠接触；其中所述第三堆叠包括场氧化物的第三层,所述第三层在所述第二层上并且与所述第二层接触。
摘要：
本公开的各实施例涉及静电保护。提供了ESD保护设备和方法。在至少一个实施例中,设备包括形成齐纳二极管的第一堆叠。第一堆叠包括第一导电类型的衬底,该衬底具有位于其中的第二导电类型的第一区域。第一区域与衬底的表面齐平。第二堆叠形成二极管,并且位于衬底的表面上并且与衬底的表面接触。第二堆叠包括第二导电类型的第一层,该第一层具有位于其中的第一导电类型的第二区域。第二区域与第一堆叠相对,与第一层的表面齐平。第三堆叠至少包括由掺杂氧的材料制成的第二层,该第二层在第二堆叠上并且与其接触。
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