只能读取预定次数的非易失性存储器设备
发布时间：2025-10-28 11:20:31 人气：17
只能读取预定次数的非易失性存储器设备
专利类型：
发明授权
申请(专利)号：
CN202210827090.6
申请日：
2022-07-13
授权公告号：
CN115620782B
授权公告日：
2025-10-28
申请人：
意法半导体(鲁塞)公司; 意法半导体国际有限公司
地址：
法国鲁塞
发明人：
专辑：
信息科技
专题：
计算机硬件技术
主分类号：
G11C16/14
分类号：
G11C16/14;G11C16/08;G11C16/24;G11C7/12;G11C8/08
国省代码：
FR0HARST
页数：
28
代理机构：
北京市金杜律师事务所
代理人：
董莘
优先权：
2021-07-13 FR 2107581;2022-07-12 US 17/812,122
主权项：
1.一种非易失性存储器设备,包括：存储器平面,包括至少一个存储器区域,所述至少一个存储器区域包括具有两行和N列的存储器单元阵列,其中每个存储器单元包括具有控制栅极和浮置栅极的状态晶体管,所述状态晶体管能够由被掩埋在衬底中并且包括掩埋选择栅极的竖直选择晶体管选择,以及其中每列存储器单元包括一对孪生存储器单元,所述一对孪生存储器单元的两个选择晶体管具有公共选择栅极；以及处理器,被配置为在所述存储器区域中存储包括一连串N位的信息,使得除了所述连串中的最后一位之外,所述连串中的当前位存储在位于同一行上的两个相邻列上的两个存储器单元中,并且在所述一对孪生存储器单元的两个孪生存储器单元中分别存储当前位和后续位。
摘要：
本公开的各实施例涉及只能读取预定次数的非易失性存储器设备。一种非易失性存储器设备包括存储器平面和处理器,存储器平面包括至少一个存储器区域,至少一个存储器区域包括具有两行和N列的存储器单元阵列,每个存储器单元包括具有控制栅极和浮置栅极的状态晶体管,状态晶体管能够由被掩埋在衬底中并且包括掩埋选择栅极的竖直选择晶体管选择,每列存储器单元包括一对孪生存储器单元,对孪生存储器单元的两个选择晶体管具有公共选择栅极,处理器被配置为在该存储器区域中存储包括一连串N位的信息,使得除了该连串中的最后一位之外,连串中的当前位存储在位于同一行上和两个相邻列上的两个存储器单元中,当前位和后续位分别存储在两个孪生单元中。
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