过电压保护
发布时间：2025-10-28 11:22:11 人气：24
过电压保护
专利类型：
发明授权
申请(专利)号：
CN202110156293.2
申请日：
2021-02-04
授权公告号：
CN113285617B
授权公告日：
2025-10-28
申请人：
地址：
法国鲁塞
发明人：
专辑：
工程科技Ⅱ辑
专题：
电力工业
主分类号：
H02M7/219
分类号：
H02M7/219;H02M1/32;H04B5/70
国省代码：
FR0HARST
页数：
23
代理机构：
北京市金杜律师事务所
代理人：
王茂华
优先权：
2020-02-04 FR 2001096
主权项：
1.一种电子设备,包括整流桥,所述整流桥包括：第一分支,连接在所述桥的第一输入节点和第二输入节点之间,并且包括所述桥的第三输出节点；第二分支,包括串联连接在所述第一输入节点和所述第二输入节点之间的第一金属氧化物半导体(MOS)晶体管和第二金属氧化物半导体晶体管,其中所述第一金属氧化物半导体晶体管和所述第二金属氧化物半导体晶体管的源极被耦合到所述桥的第四输出节点；第一电阻器,连接在所述第一金属氧化物半导体晶体管的栅极和所述第二输入节点之间；第二电阻器,连接在所述第二金属氧化物半导体晶体管的栅极和所述第一输入节点之间；以及电路,对于所述第一金属氧化物半导体晶体管和所述第二金属氧化物半导体晶体管中的每个晶体管,与所述晶体管相关联的所述电路包括：第一端子,连接到所述晶体管的漏极；以及第二端子,连接到所述晶体管的所述栅极,其中所述电路被配置为：当所述电路的所述第一端子与另一电路的所述第一端子之间的电压的绝对值大于或等于所述电路的阈值的绝对值、并且所述电压具有与所述阈值相同的符号时,电耦合所述电路的第一端子和第二端子。
摘要：
本公开的实施例公开了过电压保护。本公开涉及一种包括整流桥的设备,整流桥包括：一分支,连接在第一节点和第二节点之间；另一分支,包括串联连接在第一节点和第二节点之间并使其源极耦合在一起的第一MOS晶体管和第二MOS晶体管；一电阻器,将第一晶体管的栅极连接到第二节点；另一电阻器,连接第二晶体管的栅极和第一节点；以及一电路,对于每个晶体管,电路包括分别连接到晶体管的漏极和栅极的第一端子和第二端子,并且被配置为当电路的第一端子和另一电路的第一端子之间的电压大于电路的阈值时电耦合该电路的第一端子和第二端子。
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