偏置差分对晶体管的方法以及对应的集成电路
发布时间：2025-09-23 12:04:36 人气：18
偏置差分对晶体管的方法以及对应的集成电路
专利类型：
发明授权
申请(专利)号：
CN202010499172.3
申请日：
2020-06-04
授权公告号：
CN112073042B
授权公告日：
2025-09-23
申请人：
地址：
法国鲁塞
发明人：
专辑：
信息科技
专题：
无线电电子学
主分类号：
H03K17/30
分类号：
H03K17/30;H03K17/16
国省代码：
FR0HARST
页数：
13
代理机构：
北京市金杜律师事务所
代理人：
董莘
优先权：
2019-06-11 FR 1906167
主权项：
1.一种用于对集成电路中的至少一个差分对晶体管进行偏置的方法,所述方法包括：在偏置节点上生成偏置电流,所述偏置节点通过两个电阻元件中的相应电阻元件耦合到所述至少一个差分对中的每个晶体管的源极端子；以及在所述两个电阻元件中的第一电阻元件中生成补偿电流,以便补偿所述至少一个差分对中的所述晶体管的阈值电压的实际值之间的差异。
摘要：
本公开的实施例涉及一种用于偏置差分对晶体管的方法以及对应的集成电路。该集成电路包括至少一个差分对晶体管、偏置电流生成器,所述偏置电流生成器被配置为在偏置节点上生成偏置电流,所述偏置节点通过相应电阻元件耦合到所述差分对中的每个晶体管的源极端子。补偿电流生成器被配置为在两个电阻元件中的一个电阻元件中生成补偿电流,以便补偿所述差分对中的晶体管的阈值电压的实际值之间的差异。
查看法律状态
相似专利
[1] 偏置差分对晶体管的方法以及对应的集成电路. Y·若利;V·比内;M·屈埃卡.中国专利:CN112073042A,2020-12-11
本领域科技成果与标准
科技成果
相关标准
科技成果共1条
[1] YB065NPN超高频低噪声差分对管. 国家科技成果.
研究与应用
本专利研制背景
本专利应用动态
所涉核心技术研究动态
期刊共37条
[1] 单差分对电路的频谱线性搬移分析. 陆冬妹.湖北农机化,2020(14)
[2] 差分对信号完整性分析. 蔡国发;章杰;林培杰;程树英.电子测量技术,2012(01)
[3] 微功耗高增益差分对管的设计. 李美孚.半导体技术,1982(04)
[4] 基于差分对管的差分放大电路设计. 苏利;冯文超.长江大学学报(自然科学版),2011(07)
[5] 模型参数对双极管差分对延时的影响. 代铁军,杨肇敏.半导体学报,1998(02)
[6] 一种基于NMOS差分对四象限模拟乘法器. 王中文;宫在君;马芳;石广源.辽宁大学学报(自然科学版),2010(04)
[7] 0.18μm MOS差分对管总剂量失配效应研究. 吴雪;陆妩;王信;郭旗;张兴尧;于新.原子能科学技术,2014(10)
[8] 有限地平面上差分对共模噪声的分析. 唐世悦;高新成.电讯技术,2008(09)
[9] 印刷电路板差分对布线位置不对称引起的共模辐射仿真研究. 王超;宋克柱.中国科学技术大学学报,2007(11)
[10] 基于有限元法分析低电压差分驱动电路的辐射特性. 陈建华;牛中奇.微波学报,2008(03)
硕博共8条
[1] 基于简化差分对忆阻器模型的分析与设计. 肖力.湖南师范大学,2022
[2] 高速电路中噪声抑制的研究与测试. 李小龙.深圳大学,2017
[3] 多芯片组件的信号完整性研究与互连设计. 芦耀.西安电子科技大学,2014
[4] 一种折叠插值模数转换器的建模与设计. 李沛骋.合肥工业大学,2015
[5] 具有温度和工艺双重补偿的环形振荡器研究与设计. 陈长江.东南大学,2023
[6] 一款采用CMOS工艺的轨到轨输入/输出的精密运算放大器的研究与设计. 黄丽芳.电子科技大学,2022
[7] PCIe高速串行通道的电磁兼容性分析与优化. 李昊.大连交通大学,2021
