集成标准单元的设置
发布时间：2025-09-19 12:44:43 人气：16
集成标准单元的设置
专利类型：
发明授权
申请(专利)号：
CN202111546019.2
申请日：
2021-12-16
授权公告号：
CN114649325B
授权公告日：
2025-09-19
申请人：
意法半导体有限公司; 意法半导体(克洛尔2)公司
地址：
法国蒙鲁
发明人：
专辑：
工程科技Ⅱ辑
专题：
工业通用技术及设备
主分类号：
H10D89/10
分类号：
H10D89/10;H10D86/00;H10D86/01
国省代码：
FR0HDMTG
页数：
21
代理机构：
北京市金杜律师事务所
代理人：
黄海鸣
优先权：
2020-12-17 FR 2013447;2021-12-07 US 17/544,665
主权项：
1.一种集成电路,包括：绝缘体上硅衬底；至少一个第一标准单元,由两个第二标准单元框定,所述第一标准单元和所述两个第二标准单元被彼此相邻设置,每个单元包括：位于所述绝缘体上硅衬底中和上的至少一个NMOS晶体管和至少一个PMOS晶体管,所述第一标准单元的至少一个PMOS晶体管具有包括硅和锗的沟道,每个第二标准单元的至少一个NMOS晶体管具有硅沟道,所述每个第二标准单元的至少一个NMOS晶体管的阈值电压与所述第一标准单元的至少一个PMOS晶体管的阈值电压在绝对值上不同。
摘要：
本公开涉及集成标准单元的设置。集成电路包括至少一个第一标准单元,该至少一个第一标准单元由两个第二标准单元框定。该三个单元被彼此相邻设置,并且每个标准单元包括位于绝缘体上硅(silicon-on-insulator,SOI)衬底中和上的至少一个NMOS晶体管和至少一个PMOS晶体管。第一标准单元的至少一个PMOS晶体管具有包括硅和锗的沟道。每个第二标准单元的至少一个PMOS晶体管具有硅沟道,每个第二标准单元的至少一个PMOS晶体管的阈值电压与所述第一单元的至少一个PMOS晶体管的阈值电压在绝对值上不同。
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