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用于保护在存储器中存储的数据的方法与对应的集成电路

发布时间:2025-09-16 12:47:41 人气:11

用于保护在存储器中存储的数据的方法与对应的集成电路

专利类型:

发明授权

申请(专利)号:

CN202010715662.2

申请日:

2020-07-23

授权公告号:

CN112307524B

授权公告日:

2025-09-16

申请人:

意法半导体(鲁塞)公司

地址:

法国鲁塞

发明人:

P·弗纳拉; F·马里内特

专辑:

信息科技

专题:

计算机软件及计算机应用

主分类号:

G06F21/79

分类号:

G06F21/79;H01L23/00;H01L23/522

国省代码:

FR0HARST

页数:

18

代理机构:

北京市金杜律师事务所

代理人:

董莘

优先权:

2019-07-24 FR 1908376

主权项:

1.一种集成电路,包括:存储器,包括状态晶体管,所述状态晶体管包括浮置栅极,其中所述状态晶体管被配置为将代表相应数据值的电荷存储在所述状态晶体管的浮置栅极中;用于保护在所述存储器中存储的所述数据的器件,所述器件包括电容性结构,所述电容性结构包括:第一导电体,耦合到所述状态晶体管的所述浮置栅极;介电体;以及第二导电体,耦合到接地端子;其中所述介电体被配置为:如果水溶液与所述介电体接触,则电耦合所述浮置栅极和所述接地端子,以便修改在所述浮置栅极上的所述电荷,并且丢失所对应的数据;以及否则,电隔离所述浮置栅极和所述接地端子。

摘要:

本公开的实施例涉及用于保护在存储器中存储的数据的方法与对应的集成电路。一种集成电路存储器,包括:状态晶体管,具有浮置栅极,该状态晶体管存储相应数据值。一种器件,用于保护在存储器中存储的数据,包括电容性结构,该电容性结构具有耦合到状态晶体管的浮置栅极的第一导电体、介电体、以及耦合到接地端子的第二导电体。介电体被配置为,如果水溶液与介电体接触,则电耦合浮置栅极和接地端子,以便修改在浮置栅极上的电荷,并且丢失对应数据,否则电隔离浮置栅极和接地端子。

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