六阶及以上校正STEM多极校正器
发布时间：2025-09-16 12:48:04 人气：15
六阶及以上校正STEM多极校正器
专利类型：
发明授权
申请(专利)号：
CN202011306965.5
申请日：
2020-11-20
授权公告号：
CN112837983B
授权公告日：
2025-09-16
申请人：
FEI 公司
地址：
美国俄勒冈州
发明人：
专辑：
信息科技
专题：
无线电电子学
主分类号：
H01J37/10
分类号：
H01J37/10;H01J37/153;H01J37/26
国省代码：
US0OR000
页数：
41
代理机构：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人：
张凌苗;周学斌
优先权：
2019-11-22 US 16/692851
主权项：
1.一种用于校正带电粒子系统中的轴向像差的校正器,所述校正器包括：第一初级多极,当将第一激励施加到所述第一初级多极时,所述第一初级多极产生第一初级多极场；第二初级多极,当将第二激励施加到所述第二初级多极时,所述第二初级多极产生第二初级多极场,其中当在所述带电粒子系统中使用时,所述第二初级多极定位在所述第一初级多极与作为球面像差来源的透镜之间,其中所述第一初级多极未被成像到所述第二初级多极上,从而产生了组合四阶像差；以及次级多极,所述次级多极用于校正所述四阶像差和六阶像差,其中当在所述带电粒子系统中使用时,所述次级多极定位在所述第二初级多极与所述透镜之间。
摘要：
六阶及以上校正STEM多极校正器。根据本公开,用于校正带电粒子显微镜系统中的粒子光学透镜的轴向像差的校正器包含：第一初级多极,当将第一激励施加到所述第一初级多极时,所述第一初级多极产生第一初级多极场；以及第二初级多极,当将第二激励施加到所述第二初级多极时,所述第二初级多极产生第二初级多极场。所述第一初级多极并未被成像到所述第二初级多极上,从而产生了组合四阶像差。所述校正器进一步包含用于校正所述四阶像差和六阶像差的次级多极。此类校正器可以进一步包含用于校正八阶像差的三级多极。
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相似专利
[1] 六阶及以上校正STEM多极校正器. A·亨斯特拉;P·C·泰梅杰尔;M·尼斯塔特.中国专利:CN112837983A,2021-05-25
本领域科技成果与标准
科技成果
相关标准
科技成果共3条
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[2] 微观少体系统结构. 解文方;陈传誉.国家科技成果.
[3] 半导体量子点中电子系统的性质. 国家科技成果.
研究与应用
本专利研制背景
本专利应用动态
所涉核心技术研究动态
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