双极晶体管及制造方法
发布时间：2025-09-12 12:49:53 人气：11
双极晶体管及制造方法
专利类型：
发明授权
申请(专利)号：
CN202111216099.5
申请日：
2021-10-19
授权公告号：
CN114388361B
授权公告日：
2025-09-12
申请人：
地址：
法国克洛尔
发明人：
专辑：
工程科技Ⅱ辑
专题：
工业通用技术及设备
主分类号：
H10D10/01
分类号：
H10D10/01;H10D10/80
国省代码：
FR0ISCLL
页数：
18
代理机构：
北京市金杜律师事务所
代理人：
董莘
优先权：
2020-10-19 FR 2010686;2021-10-18 US 17/503,621
主权项：
1.一种用于在集成电路内制造至少一个双极晶体管的方法,包括：通过在半导体衬底内注入掺杂剂来产生集电极区,以便形成所述集电极区的第一掺杂部分,并且形成所述集电极区的第二掺杂部分,所述第二掺杂部分覆盖并且接触所述第一掺杂部分的区域；其中形成所述第二掺杂部分包括：从所述区域的表面外延生长非掺杂半导体材料；以及从所述第一掺杂部分在外延的所述材料中扩散掺杂剂；其中所述扩散至少由所述外延生长激活；并且控制所述扩散掺杂剂；其中所述集电极区的所述第二掺杂部分与所述晶体管的基区接触,其中所述非掺杂半导体材料的外延生长包括在离所述基区一定距离处停止外延生长,并且其中控制包括：通过在所述非掺杂半导体材料中原位掺杂碳来继续外延生长,以便在所述第二掺杂部分中形成所述半导体材料的含碳的上层,所述上层与所述基区接触。
摘要：
公开了双极晶体管及制造方法。双极晶体管包括集电极区,该集电极区具有位于衬底中的第一掺杂部分和覆盖并与第一掺杂部分的区域接触的第二掺杂部分。集电极区具有掺杂分布,该掺杂分布在第一部分具有峰值,并且从该峰值到第二部分减小。
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