光电子器件
发布时间：2025-09-02 12:54:19 人气：17
光电子器件
专利类型：
发明授权
申请(专利)号：
CN202111551452.5
申请日：
2021-12-17
授权公告号：
CN114725222B
授权公告日：
2025-09-02
申请人：
地址：
法国格勒诺布尔
发明人：
专辑：
工程科技Ⅱ辑
专题：
工业通用技术及设备
主分类号：
H10F77/50
分类号：
H10F77/50;H10F77/20;H10F77/40
国省代码：
FR0ISGNB
页数：
14
代理机构：
北京市金杜律师事务所
代理人：
黄海鸣
优先权：
2020-12-18 FR 2013740;2021-12-09 US 17/546,314
主权项：
1.一种光电子器件,包括：基板；光电子元件,被安装到所述基板；以及封装件,被安装到所述基板并且位于所述光电子元件上方,所述封装件包括：侧壁,包括竖直部分和水平部分,所述水平部分从所述竖直部分延伸以界定布置在所述光电子元件上方的开口；第一光学块,具有下表面；第二光学块,具有上表面；树脂结合材料,位于所述下表面和所述上表面之间,以将所述第一光学块和所述第二光学块彼此附接并且形成光学组件；以及胶材料,被配置成将所述光学组件至少固定到所述侧壁的水平部分并且封闭所述开口；其中,由所述树脂结合材料在所述光学组件上引起的应力小于由所述胶材料在所述光学组件上引起的应力。
摘要：
本公开的实施例涉及光电子器件。光电子元件位于封装件中。该封装件包括通过结合层彼此附接的第一光学块和第二光学块。第一和第二光学块中的一个通过胶连接到封装件的侧壁。结合层的材料被构造成比胶水对第一和第二光学块引起更小的应力。
查看法律状态
相似专利
未找到相关数据
本领域科技成果与标准
科技成果
相关标准
科技成果共1条
[1] 超薄系统表面界面形态及其光学性能调控. 徐可为;李院院;马飞;赵莎.国家科技成果.
研究与应用
本专利研制背景
本专利应用动态
所涉核心技术研究动态
期刊共9条
[1] 光电复合缆载流量监测系统光电子器件可靠性分析. 严敏;罗曦;甘战;侯云川;王小江;温易宸;赵俊.电子器件,2024(05)
[2] 基于等离子体增强化学气相沉积技术的光电子器件多层抗反膜的设计和制作. 袁贺;孙长征;徐建明;武庆;熊兵;罗毅.物理学报,2010(10)
[3] 原子层沉积在光电子器件制备领域的应用进展. 董策;姜宁;王冠然;王佳伟;任舰洋;谢思雨;李野;段羽.功能材料与器件学报,2025(03)
[5] 用于纳米光电子器件加工的纳米金属膜的制作. 王战,刘庆纲,匡登峰,米文博,白海力,胡小唐.仪器仪表学报,2003(S1)
[7] 存储器用铁电薄膜及电极材料的研究. 刘治国;李爱东;吴迪;朱信华;闵乃本.物理,2007(01)
[8] 有机-无机杂化钙钛矿光电子器件的钝化技术研究进展(续). 车韬;李国辉;冀婷;郝玉英;崔艳霞.半导体技术,2019(11)
[9] DNA-类脂复合物光电薄膜材料及其应用. 金嫦香;张飞雁;李婷;孙升;周骏;薛良义.光学与光电技术,2009(02)
硕博共2条
[1] 聚合物半导体薄膜的光电特性和器件研究. 杨立功.浙江大学,2005
[2] 纤维素基多功能复合薄膜的制备及性能研究. 王旭彪.陕西科技大学,2022
