包括金属-绝缘体-金属型电容结构的集成电路和对应制造方法

专利类型：

发明授权

申请(专利)号：

CN202111293333.4

申请日：

2021-11-03

授权公告号：

CN114446929B

授权公告日：

2025-07-25

申请人：

意法半导体(鲁塞)公司

地址：

法国鲁塞

发明人：

P·福尔纳拉; R·西莫拉

专辑：

信息科技

专题：

无线电电子学

主分类号：

H01L23/522

分类号：

H01L23/522;H10D1/66;H10D1/68

国省代码：

FR0HARST

页数：

24

代理机构：

北京市金杜律师事务所

代理人：

李春辉

优先权：

2020-11-03 FR 2011274;2021-11-02 US 17/516,920

主权项：

1.一种集成电路,包括：半导体衬底；导电层,在所述半导体衬底的正面上方；第一金属轨道,在第一金属层级中；电介质区域,位于所述导电层与所述第一金属层级之间；以及至少一个金属-绝缘体-金属电容结构,位于在所述电介质区域内的沟槽开口中,所述至少一个金属-绝缘体-金属电容结构包括：第一金属层,被配置成与所述导电层电连接,第二金属层,被配置成与所述第一金属轨道电连接,以及电介质层,在所述第一金属层与所述第二金属层之间；在所述导电层与所述半导体衬底之间电绝缘的电介质界面,其中所述导电层和所述电介质界面被配置成与所述半导体衬底形成金属-氧化物-半导体类型的电容结构。

摘要：

一种集成电路包括半导体衬底、在衬底正面上方的导电层、第一金属层级中的第一金属轨道、以及位于导电层与第一金属层级之间的金属前电介质区域。金属-绝缘体-金属型电容结构位于金属前电介质区域内的沟槽中。该电容结构包括与导电层电连接的第一金属层、与第一金属轨道电连接的第二金属层、以及在第一金属层与第二金属层之间的电介质层。

查看法律状态

• CAJ原文下载

•  

• 专利评估分析报告

•  

• 学位论文投稿

相似专利

• [1] 一种集成电路的金属焊垫及其制作方法. 陈胜雄;陈顺隆;林鸿泽.中国专利:CN1449033,2003-10-15

• [2] 封装的金属电阻器. 伯纳德·P·斯滕松;埃蒙·海因斯;威廉·莱恩.中国专利:CN101632174,2010-01-20

• [3] 一种提高电容密度的结构及方法. 徐强;张文广;郑春生.中国专利:CN102420209A,2012-04-18

• [4] 一种盘旋式金属间电容结构及其布局. 张海芳;娄晓琪.中国专利:CN102446896A,2012-05-09

• [5] 在顶部金属层上形成金属-绝缘体-金属电容器. 巫昆懋;林志勋;叶玉隆;蔡冠智.中国专利:CN102593096A,2012-07-18

• [6] 金属连线结构及其形成方法. 周鸣.中国专利:CN103187392A,2013-07-03

• [7] 垂直金属/绝缘层/金属MIM电容及其制造方法. 刘俊.中国专利:CN103515350A,2014-01-15

• [8] 具有单向金属层的堆叠内有混合的金属叉指取向的金属叉指电容器. J·J·朱;P·齐达姆巴兰姆;L·葛;B·杨;J·舒.中国专利:CN104364903A,2015-02-18

• [9] 金属层-绝缘层-金属层电容器及其制作方法. 张智侃;陈俭;张斌.中国专利:CN105226046A,2016-01-06

• [10] 金属层-绝缘层-金属层电容器. 张智侃;陈俭;张斌.中国专利:CN205069629U,2016-03-02

共 5 页     12345下一页

本领域科技成果与标准

• 科技成果

• 相关标准

科技成果共7条

• [1] 倒装LED芯片的制造方法. 姚禹;郑远志;陈向东;康建;梁旭东.国家科技成果.

• [2] 一种应用大马士革工艺的mini/micro LED芯片及其制作方法. 李俊承;赵敏博;谈凯强;刘苏杰;王克来;白继锋;熊珊;潘彬;王向武.国家科技成果.

• [3] 半导体器件微型散热器. 国家科技成果.

• [4] 一种行波管夹持杆及其制备方法. 魏彦玉;刘鲁伟;岳玲娜;徐进;路志刚;赵国庆;王战亮;黄民智;宫玉彬;王文祥.国家科技成果.

• [5] 一种高性能的半孔线路板. 李清华.国家科技成果.

• [6] 垂直型宽禁带半导体器件结构及制作方法. 郝跃;王中林;陈军峰;张进城;张春福.国家科技成果.

• [7] 功率半导体器件芯片背面多层金属层制造技术. 国家科技成果.

研究与应用

• 本专利研制背景

• 本专利应用动态

• 所涉核心技术研究动态

期刊共8条

• [1] CCD芯片金属层脱落失效分析与改进措施. 刘方;孙晨;张故万.集成电路应用,2021(08)

• [2] 后道互连工艺中钨塞和金属空洞的研究. 顾学强.集成电路应用,2019(07)

• [3] 一种减少金属层数的芯片物理设计方法. 刘金禾;林平分.科技信息,2012(11)

• [4] ASIC物理设计中金属层数对芯片的影响. 柏璐;聂红儿;李莉.半导体技术,2010(01)

• [5] 改善金属硬质掩膜层刻蚀的工艺方法. 陈敏敏.中国集成电路,2019(08)

• [6] 陶瓷基板表面金属层结合强度测试与失效分析. 王永通;王哲;刘京隆;彭洋;陈明祥.电子元件与材料,2022(10)

• [7] 在ASIC设计中的天线效应. 王艺璇;郑建宏.重庆邮电学院学报(自然科学版),2006(S1)

• [8] 基于沟道状态的SiC MOSFET器件浪涌能力研究. 孟鹤立;邓二平;王文杰;黄永章.机车电传动,2021(05)

硕博共3条

• [1] 金属辅助湿法深硅刻蚀工艺研究. 吕春雨.南京大学,2017

• [2] 半导体0.18um工艺金属层MUV光刻技术研究及优化. 耿文练.华东理工大学,2015

• [3] 0.18μm集成电路后段制程金属缺陷检测的研究. 张珏.复旦大学,2010