非易失性静态随机存取存储器和对应控制方法
发布时间：2025-07-22 13:04:05 人气：16
非易失性静态随机存取存储器和对应控制方法
专利类型：
发明授权
申请(专利)号：
CN202110108003.7
申请日：
2021-01-27
授权公告号：
CN113178218B
授权公告日：
2025-07-22
申请人：
地址：
法国鲁塞
发明人：
专辑：
信息科技
专题：
计算机硬件技术
主分类号：
G11C11/412
分类号：
G11C11/412;G11C29/42
国省代码：
FR0HARST
页数：
41
代理机构：
北京市金杜律师事务所
代理人：
王茂华
优先权：
2020-01-27 FR 2000761
主权项：
1.一种集成电路,包括：存储器设备,包括存储器平面,所述存储器平面包括被布置在至少一个存储器字中的多个存储器点,所述多个存储器点中的每个存储器点包括：易失性存储器单元和单个非易失性存储器单元,一起被耦合到公共节点；以及单个选择晶体管,被耦合在所述公共节点与单个位线之间,其中所述易失性存储器单元的第一输出被耦合到所述公共节点,以及其中所述易失性存储器单元的第二输出未被连接至所述易失性存储器单元外部的任何节点,所述第二输出与所述第一输出互补；其中所述存储器设备还包括局部解码器,所述局部解码器包括电力线,并且所述电力线被配置为将电力状态存储在状态寄存器中,所述电力状态的第一值表示相应的所述存储器字的所述易失性存储器单元的非操作状态,所述电力状态的第二值表示相应的所述存储器字的所述易失性存储器单元的操作状态；以及其中所述局部解码器被配置为只要所述电力状态具有所述第二值就在所述电力线上维持第一组电力电压,所述第一组电力电压适于所述易失性存储器单元的功能供电。
摘要：
本公开的实施例涉及非易失性静态随机存取存储器和对应控制方法。一种实施例集成电路包括存储器设备,存储器设备包括至少一个存储器点,至少一个存储器点具有一起被耦合到公共节点的易失性存储器单元和单个非易失性存储器单元。
查看法律状态
相似专利
[1] 与SRAM存储平面和非易失性存储平面相关联的、针对意外翻转而硬化的存储器装置. F·塔耶特;M·巴蒂斯塔.中国专利:CN110047534A,2019-07-23
[2] 每易失性位具有单个非易失性位的非易失性静态随机存取存储器架构. F·塔耶特;M·巴蒂斯塔.中国专利:CN110782932A,2020-02-11
[3] 非易失性静态随机存取存储器和对应控制方法. F·塔耶特;M·巴蒂斯塔.中国专利:CN113178218A,2021-07-27
[4] 内嵌有非易失性晶体管的静态随机存取存储器(SRAM)基元. A·R·贾斯瓦尔;B·C·保罗;S·R·索斯.中国专利:CN114613403A,2022-06-10
[5] 每易失性位具有单个非易失性位的非易失性静态随机存取存储器架构. F·塔耶特;M·巴蒂斯塔.中国专利:CN110782932B,2024-09-27
[6] 内嵌有非易失性晶体管的静态随机存取存储器(SRAM)基元. A·R·贾斯瓦尔;B·C·保罗;S·R·索斯.中国专利:CN114613403B,2025-09-26
[7] 非易失性静态随机存取存储器和对应控制方法. F·塔耶特;M·巴蒂斯塔.中国专利:CN120766734A,2025-10-10
[8] 电子电路. 菅原聪;北形大树;山本修一郎.中国专利:CN121122351A,2025-12-12
本领域科技成果与标准
科技成果
相关标准
科技成果共1条
[1] 非易失性硅基光子存储器的研究. 李燕;梁伟;李红祥.国家科技成果.
研究与应用
本专利研制背景
本专利应用动态
所涉核心技术研究动态
期刊共120条
[1] 英飞凌推出第二代高可靠非易失性SRAM. .电子质量,2021(04)
[2] 中科院物理所基于忆耦器实现非易失性多态存储. 物研.军民两用技术与产品,2017(03)
[3] 非易失性逻辑技术进入批量生产化阶段. .电子技术应用,2009(06)
[4] RAMTRON推出全新的4位状态保存器. .电子与电脑,2007(10)
[6] NVRAM读写卡的设计及实现. 应可勇;于凤霞.计算机应用研究,1998(05)
[7] 非易失性半导体存贮器. 过玉清.集成电路应用,1992(06)
[8] 非易失性半导体存贮器. 侯显达.半导体技术,1982(06)
[9] 如何选择非易失性SRAM. 张浩.电子产品世界,1998(07)
[10] 基于重用信息的非易失性缓存动态旁路策略. 焦童;陈玲玲;安鑫;李建华.计算机工程
硕博共37条
[1] 65nm工艺下基于RRAM的非易失性SRAM单元设计. 朱选胜.安徽大学,2018
[2] 基于新型存储的超低功耗非易失性处理器设计. 李憬.宁波大学,2022
[3] 采用多次复用策略的7T1R非易失性SRAM研究. 王勇.安徽大学,2020
[4] 面向非易失性处理器的高效缓存管理方法研究. 房贺年.广州大学,2022
[5] 非易失性事务内存的可伸缩性研究. 余倩倩.上海交通大学,2019
[6] 基于忆阻器（ReRAM）非易失性触发器的设计及应用. 夏英健.大连理工大学,2023
[7] 基于电荷存储的二维MoS_2非易失性逻辑器件构筑与性能研究. 祖若涵.哈尔滨工业大学,2024
[8] 采用双RRAM互补备份恢复的非易失性SRAM研究. 孙朋.安徽大学,2022
[9] 非易失性存储介质的性能、能耗和寿命优化研究. 罗辉章.重庆大学,2017
[10] 基于B+树的非易失性高效索引结构研究. 佘雄雄.重庆大学,2021
会议共5条
[1] 新一代超快高密Ag/ZnO:Mn/Pt非易失性阻变存储器及其工作机理. 杨玉超;曾飞;潘峰.TFC’09全国薄膜技术学术研讨会,2009
[2] IC卡和非易失性铁电存储器. 罗维根.上海市老科学技术工作者协会一届学术年会;上海市老科学技术工作者协会二届学术年会;上海市老科学技术工作者协会三届学术年会,2006
[3] 忆阻器关键技术的研究. 杨顺;马驰远;方粮.第十八届计算机工程与工艺年会暨第四届微处理器技术论坛,2014
[4] 基于光活性双层杂化介电层的非易失性存储器. 李明亮;陈洪亮;郭雪峰.中国化学会第30届学术年会,2016
[5] 外延多铁异质结中磁化翻转的电场调控. 郭晓斌.第三届粤港澳大湾区真空科技创新发展论坛暨2019年广东省真空学会学术年会,2019
报纸共5条
[2] 巨头联手 闪存公司Numonyx组建在即. 刘洪宇.中国计算机报,2007-07-30
[4] 飞思卡尔率先将MRAM技术投入商用. .中国电子报,2006-09-12
[5] 钴绿将使电脑即开即用. 毛黎.科技日报,2006-08-05
