SPAD的淬灭
发布时间：2025-06-27 16:24:28 人气：5
SPAD的淬灭
专利类型：
发明授权
申请(专利)号：
CN202011063753.9
申请日：
2020-09-30
授权公告号：
CN112702546B
授权公告日：
2025-06-27
申请人：
意法半导体(R&D)有限公司; 意法半导体(克洛尔2)公司
地址：
英国马洛
发明人：
专辑：
信息科技
专题：
电信技术
主分类号：
H04N25/78
分类号：
H04N25/78;H04N25/77;H04N25/709
国省代码：
GB0BHMAL
页数：
20
代理机构：
北京市金杜律师事务所
代理人：
董莘
优先权：
2019-10-07 FR 1911063
主权项：
1.一种电子装置,包括：光电二极管,具有第一端子和第二端子；电阻器,被耦合在所述光电二极管的所述第一端子与第一轨之间,所述第一轨被配置为接收高供电电位；开关,被耦合在所述光电二极管的所述第二端子与第二轨之间,所述第二轨被配置为接收基准电位；读取电路,被配置为：当所述光电二极管进入雪崩时,提供脉冲；以及控制电路,被配置为：响应于所述脉冲的开始,控制所述开关的断开,并且响应于所述脉冲的结束,控制所述开关的闭合；其中所述控制电路包括逻辑门,所述逻辑门具有输入和输出,所述输入被配置为接收所述脉冲,所述输出被配置为向所述开关提供控制信号；其中所述控制电路还被配置为：在所述控制信号的导致所述开关闭合的切换期间,根据斜率调节电位的值来控制所述控制信号的斜率；其中所述控制电路包括MOS晶体管,所述MOS晶体管被连接在所述控制电路的供电端子和所述控制电路的所述逻辑门的第一供电端子之间,所述MOS晶体管的栅极被配置为接收所述斜率调节电位。
摘要：
本公开的各实施例涉及SPAD的淬灭。本公开涉及一种包括光电二极管的装置,该光电二极管具有第一端子和第二端子,该第一端子通过电阻器被耦合到第一轨,该第一轨被配置为接收高供电电位,该第二端子通过开关被耦合到第二轨,该第二轨被配置为接收基准电位。读取电路被配置为在光电二极管进入雪崩时提供脉冲,并且控制电路被配置为：响应于脉冲的开始,控制开关的断开,并且响应于脉冲的结束,控制开关的闭合。
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