用于制造电子芯片的方法
发布时间：2025-05-30 15:12:35 人气：2
用于制造电子芯片的方法
专利类型：
发明授权
申请(专利)号：
CN202011299981.6
申请日：
2020-11-19
授权公告号：
CN112908866B
授权公告日：
2025-05-30
申请人：
地址：
法国图尔
发明人：
专辑：
信息科技
专题：
无线电电子学
主分类号：
H01L21/56
分类号：
H01L21/56;H01L23/31
国省代码：
FR0ILTOU
页数：
11
代理机构：
北京市金杜律师事务所
代理人：
李春辉
优先权：
2019-11-19 FR 1912895
主权项：
1.一种用于制造芯片的方法,包括：形成穿过半导体衬底和互连层的多个沟槽,所述多个沟槽中的每个沟槽延伸穿过所述半导体衬底的第一面和所述半导体衬底的与所述第一面相对的第二面,所述互连层在所述半导体衬底的所述第二面上,所述半导体衬底包括多个集成电路,所述多个沟槽侧向界定多个芯片,所述多个芯片各自包括所述多个集成电路中的集成电路,所述互连层包括用于所述多个芯片中的每个芯片的至少一个金属连接焊盘；以及通过在所述半导体衬底的所述第一面和所述多个沟槽的侧向壁上形成电隔离层,对所述多个芯片中的每个芯片的侧翼进行电隔离,所述电隔离层设置在所述多个沟槽中的所述半导体衬底的侧向壁和所述互连层的侧向壁上,所述电隔离层包括至少一个氧化物层。
摘要：
本公开涉及一种用于制造电子芯片的方法。该方法包括在半导体衬底的第一面上形成多个沟槽,在该半导体衬底中和该半导体衬底上已经形成多个集成电路。沟槽侧向界定多个芯片,并且芯片中的每个芯片包括单个集成电路。该方法进一步包括通过在沟槽的侧向壁上形成电隔离层,对芯片中的每个芯片的侧翼进行电隔离。
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