包括限定MOSFET晶体管的有效沟道长度的操作的制造方法
发布时间：2025-05-09 15:20:17 人气：5
包括限定MOSFET晶体管的有效沟道长度的操作的制造方法
专利类型：
发明授权
申请(专利)号：
CN202010748995.5
申请日：
2020-07-30
授权公告号：
CN112309982B
授权公告日：
2025-05-09
申请人：
地址：
法国鲁塞
发明人：
专辑：
工程科技Ⅱ辑
专题：
工业通用技术及设备
主分类号：
H10D84/03
分类号：
H10D84/03;H10D84/83
国省代码：
FR0HARST
页数：
15
代理机构：
北京市金杜律师事务所
代理人：
董莘
优先权：
2019-07-31 FR 1908778
主权项：
1.一种用于制造金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET的方法,包括：针对第一MOSFET和第二MOSFET中的每个MOSFET：在将来栅极区的地点的任一侧注入轻掺杂区；以及形成具有与参考沟道长度相关联的物理栅极长度的栅极区；其中在形成之前进行注入；其中注入包括：形成限定所述轻掺杂区和所述第一MOSFET和所述第二MOSFET中的每个MOSFET的有效沟道长度的注入掩模,其中形成所述注入掩模被配置为限定不同于相应的参考沟道长度的所述第一MOSFET和所述第二MOSFET的所述有效沟道长度；还包括：形成与所述MOSFET的沟道区接触的至少一个横向隔离区,其中形成所述注入掩模被配置为限定所述MOSFET的所述有效沟道长度,以补偿由于与所述横向隔离区的寄生边缘效应而引起的晶体管特性的变化。
摘要：
一种包括限定MOSFET晶体管的有效沟道长度的操作的制造方法。在制造金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的过程中,在形成具有与参考沟道长度相关联的物理栅极长度的栅极区之前注入轻掺杂漏极区。注入轻掺杂漏极区的步骤包括形成限定轻掺杂漏极区和每个MOSFET的有效沟道长度的注入掩模。注入掩模的形成被配置为将至少一个MOSFET的有效沟道长度限定为不同于相应参考沟道长度。
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期刊共2条
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