微电子器件和用于制造这样的器件的方法
发布时间：2025-05-09 15:21:05 人气：6
微电子器件和用于制造这样的器件的方法
专利类型：
发明授权
申请(专利)号：
CN202011398976.0
申请日：
2020-12-02
授权公告号：
CN112992894B
授权公告日：
2025-05-09
申请人：
地址：
法国鲁塞
发明人：
专辑：
工程科技Ⅱ辑
专题：
工业通用技术及设备
主分类号：
H10D84/40
分类号：
H10D84/40;H10D84/03
国省代码：
FR0HARST
页数：
13
代理机构：
北京市金杜律师事务所
代理人：
罗利娜
优先权：
2019-12-02 FR 1913605
主权项：
1.一种微电子器件,包括：衬底；高电压MOS晶体管,在所述衬底的第一部分中和/或在所述衬底的第一部分上；以及双极晶体管,在所述衬底的相同第一部分中和/或在所述衬底的相同第一部分上；其中所述第一部分包括：第一阱,掺杂有第一类型,所述第一阱与所述衬底电绝缘,并且被配置为形成所述高电压MOS晶体管的沟道；两个第一区域,掺杂有与所述第一类型相对的第二类型,所述两个第一区域被布置在所述第一阱中,并且被配置为分别形成所述高电压MOS晶体管的源极和漏极；第二阱,掺杂有所述第二类型,所述第二阱相对于所述第一阱横向地布置以形成所述双极晶体管的基极；第二区域,掺杂有所述第一类型,所述第二区域被布置在所述第二阱中,以形成所述双极晶体管的发射极；第三区域,掺杂有所述第一类型,所述第三区域被布置在所述第二阱之下,并且所述第三区域与所述第二阱接触以形成所述双极晶体管的集电极；第四区域,掺杂有所述第二类型,所述第四区域相对于所述第二区域横向地布置在所述第二阱中,所述第四区域被配置为形成用于所述双极晶体管的所述基极的电接触插头；以及绝缘区域,在所述第二阱中,所述绝缘区域横向地将所述第四区域与所述第二区域分隔。
摘要：
本公开的实施例涉及微电子器件和用于制造这样的器件的方法。一种器件包括位于衬底的相同第一部分的MOS晶体管和双极晶体管。第一部分包括掺杂有形成MOS晶体管的沟道的第一类型的第一阱和与第一类型相对的掺杂有第二类型的两个第一区域,该第一区域布置在构成MOS晶体管的源极和漏极的第一阱中。第一部分还包括：掺杂有相对于第一阱横向布置以形成双极晶体管基极的第二类型的第二阱；掺杂第一类型的第二区域,该第二区域布置在第二阱中以形成双极晶体管的发射极；以及掺杂第一类型的第三区域,该第三区域布置在第二阱下面,形成双极晶体管的集电极。
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