包括具有反熔丝器件的至少一个存储器单元的集成电路
发布时间：2025-05-06 15:23:15 人气：9
包括具有反熔丝器件的至少一个存储器单元的集成电路
专利类型：
发明授权
申请(专利)号：
CN201910813356.X
申请日：
2019-08-30
授权公告号：
CN110875322B
授权公告日：
2025-05-06
申请人：
地址：
法国鲁塞
发明人：
专辑：
工程科技Ⅱ辑
专题：
工业通用技术及设备
主分类号：
H10B20/25
分类号：
H10B20/25;G11C17/16
国省代码：
FR0HARST
页数：
18
代理机构：
北京市金杜律师事务所
代理人：
王茂华;吕世磊
优先权：
2018-08-31 FR 1857840
主权项：
1.一种集成电路,包括至少一个存储器单元,其中所述至少一个存储器单元包括：反熔丝器件,包括具有控制栅极和第二栅极的状态晶体管,其中所述第二栅极被配置为相对所述控制栅极处于浮置,以便在所述反熔丝器件上赋予非击穿状态,或者其中所述第二栅极被配置为电耦合至所述控制栅极,以便在所述反熔丝器件上赋予击穿状态；以及所述集成电路进一步包括存储器模块,所述存储器模块包括根据矩阵架构互连的多个所述存储器单元,其中每个存储器单元包括存取晶体管,所述存取晶体管被耦合在所述状态晶体管和由所有所述存储器单元共用的读取线之间。
摘要：
一种集成电路包括存储器单元,该存储器单元包含反熔丝器件。该反熔丝器件包括状态晶体管,其具有控制栅级和被配置为浮置的第二栅极。选择性地断开控制栅级和第二栅极之间的介电层,以便在反熔丝器件上赋予击穿状态,其中第二栅极电耦合至控制栅级,用于存储第一逻辑状态。否则,反熔丝器件处于非被击穿状态,用于存储第二逻辑状态。
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