具有钉扎光电二极管的集成光学传感器
发布时间：2025-04-25 09:11:52 人气：4
具有钉扎光电二极管的集成光学传感器
专利类型：
发明授权
申请(专利)号：
CN202110570140.2
申请日：
2021-05-25
授权公告号：
CN113725242B
授权公告日：
2025-04-25
申请人：
地址：
法国克洛尔
发明人：
专辑：
工程科技Ⅱ辑
专题：
工业通用技术及设备
主分类号：
H10F39/18
分类号：
H10F39/18
国省代码：
FR0ISCLL
页数：
14
代理机构：
北京市金杜律师事务所
代理人：
董莘
优先权：
2020-05-26 FR 2005537;2021-05-19 US 17/324,619
主权项：
1.一种集成光学传感器,包括钉扎光电二极管,所述集成光学传感器包括：半导体衬底,包括：第一半导体区域,具有第一导电类型；第二半导体区域,具有与所述第一导电类型相对的第二导电类型；以及第三半导体区域,具有所述第二导电类型；其中所述第一半导体区域位于所述第二半导体区域与所述第三半导体区域之间；其中所述第三半导体区域与所述第二半导体区域相比更厚、更少掺杂并且更深地位于所述半导体衬底中；其中所述第三半导体区域包括硅和锗,其中所述锗具有第一浓度梯度；其中所述第三半导体区域由交替的硅层和硅锗层形成；以及其中所述第一浓度梯度是正梯度,其中在所述第三半导体区域中的锗的原子百分比从所述第三半导体区域的底部朝向所述第一半导体区域增加。
摘要：
本公开的实施例涉及具有钉扎光电二极管的集成光学传感器。集成光学传感器由钉扎光电二极管形成。半导体衬底包括具有第一导电类型的第一半导体区域,该第一半导体区域位于第二半导体区域与第三半导体区域之间,第二半导体区域具有与第一导电类型相对的第二导电类型,第三半导体区域具有第二导电类型。第三半导体区域与第二区域相比更厚、更少掺杂并且更深地位于衬底中。第三半导体区域包括硅和锗。在一个实现方式中,第三半导体区域内的锗具有至少一个浓度梯度。在另一实现方式中,第三半导体区域内的锗浓度是基本恒定的。
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