EEPROM存储器设备和对应方法
发布时间：2025-03-25 09:23:23 人气：12
EEPROM存储器设备和对应方法
专利类型：
发明授权
申请(专利)号：
CN202110179558.0
申请日：
2021-02-07
授权公告号：
CN113223595B
授权公告日：
2025-03-25
申请人：
地址：
法国鲁塞
发明人：
专辑：
信息科技
专题：
计算机硬件技术
主分类号：
G11C16/34
分类号：
G11C16/34;G11C7/12
国省代码：
FR0HARST
页数：
20
代理机构：
北京市金杜律师事务所
代理人：
王茂华;李春辉
优先权：
2020-02-06 FR 2001195
主权项：
1.一种电可擦除可编程只读存储器设备,包括：矩阵存储器平面,以存储器字的行和列布置,每个存储器字包括数个字节的存储器单元；写入电路装置,被配置成：响应于接收到用于写入在所述矩阵存储器平面的至少一个选中存储器字中的至少一个选中字节的命令,执行写入操作,其中所述写入操作包括跟随有编程周期的擦除周期,其中所述写入电路装置被配置用于：在所述擦除周期期间：在所述至少一个选中存储器字的所有字节的存储器单元中生成擦除电压,其中所述擦除电压被配置成使得所述至少一个选中存储器字的所述存储器单元被擦除,以及生成擦除禁止电位,所述擦除禁止电位相对于所述擦除电压被配置,以防止所述至少一个选中存储器字的未选中字节的存储器单元的擦除；以及在所述编程周期期间,在所述至少一个选中存储器字的至少一个未选中字节的先前被编程的存储器单元中生成编程电压；以及读取电路装置,所述读取电路装置被配置用于：在所述写入操作期间并且在所述擦除周期之前,读取在所述至少一个选中存储器字的所述至少一个未选中字节的所述存储器单元中包含的数据。
摘要：
本公开涉及EEPROM存储器设备和对应方法。电可擦除可编程只读存储器类型的存储器设备包括写入电路装置,写入电路装置被设计为：响应于接收到用于写入在存储器平面的至少一个选中存储器字中的至少一个选中字节的命令,进行写入操作,写入操作包括跟随有编程周期的擦除周期,并且写入电路装置被配置用于在擦除周期期间：在至少一个选中存储器字的所有字节的存储器单元中生成擦除电压,并且生成擦除禁止电位,擦除禁止电位相对于擦除电压被配置,以防止擦除至少一个选中存储器字的未选中字节的存储器单元,该未选中字节不是至少一个选中字节。
查看法律状态
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