用于制造电子芯片的方法

专利类型：

发明授权

申请(专利)号：

CN202011412573.7

申请日：

2020-12-03

授权公告号：

CN112908872B

授权公告日：

2025-03-21

申请人：

意法半导体(图尔)公司

地址：

法国图尔

发明人：

M·德克鲁兹; O·奥里

专辑：

信息科技

专题：

无线电电子学

主分类号：

H01L21/60

分类号：

H01L21/60;H01L21/78;H01L21/56

国省代码：

FR0ILTOU

页数：

31

代理机构：

北京市金杜律师事务所

代理人：

罗利娜

优先权：

2019-12-04 FR 1913744

主权项：

1. 一种用于制造电子芯片的方法,包括：在半导体基底的第一面上形成金属化部,所述金属化部将所述基底上的相邻的集成电路的相应接触部彼此耦接；以及形成第一沟槽,所述第一沟槽延伸穿过所述基底的所述第一面、并且在横向上将相邻的所述集成电路分隔开,所述第一沟槽延伸穿过将相邻的所述集成电路的相应接触部耦接的所述金属化部,以在相邻的所述集成电路中的每个集成电路处形成所述金属化部的至少部分；在整个所述第一面上沉积第一树脂的层,所述第一树脂渗透到所述第一沟槽中、并且覆盖所述金属化部的所述部分。

摘要：

本公开的各实施例涉及用于制造电子芯片的方法。一种用于制造电子芯片的方法包括：在半导体基底的第一面侧上形成金属化部,这些金属化部将相邻集成电路的接触部彼此耦接,在该半导体基底中和在该半导体基底上已经预先形成了多个集成电路。该方法还包括：在基底的第一面侧上形成第一沟槽,这些第一沟槽延伸穿过基底的第一面并且在横向上将相邻的集成电路分隔开。第一沟槽延伸穿过金属化部,以在相邻电路中的每个电路处形成金属化部的至少部分。

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