晶体管结构及其形成方法
发布时间：2025-03-09 12:42:20 人气：3
晶体管结构及其形成方法
专利类型：
发明授权
申请(专利)号：
CN202110090630.2
申请日：
2021-01-22
授权公告号：
CN113241379B
授权公告日：
2025-03-07
申请人：
地址：
法国鲁塞
发明人：
专辑：
工程科技Ⅱ辑
专题：
工业通用技术及设备
主分类号：
H10D30/60
分类号：
H10D30/60;H10D62/13;H10D30/01;H10D62/10
国省代码：
FR0HARST
页数：
17
代理机构：
北京市金杜律师事务所
代理人：
王茂华;李春辉
优先权：
2020-01-23 FR 2000669
主权项：
1.一种晶体管,包括：半导体漏极区域,由第一沟槽界定；第一导电元件,位于所述第一沟槽中,其中所述半导体漏极区域包围所述第一导电元件的三个侧面；以及第一节点,被电耦合到所述第一导电元件,所述第一节点被配置为耦合到第一电势,所述第一电势更接近所述晶体管的漏极电势,而不是更接近所述晶体管的源极电势。
摘要：
本公开涉及晶体管结构及其形成方法。一个实施例晶体管包括：由第一沟槽界定的半导体漏极区域、以及在第一沟槽中的第一导电元件,该第一导电元件被电耦合到电势的施加的节点,该电势更接近晶体管的漏极电势,而不是更接近晶体管的源极电势。
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