反相电路
发布时间：2025-01-17 11:23:21 人气：4
反相电路
专利类型：
发明授权
申请(专利)号：
CN201910185655.3
申请日：
2019-03-12
授权公告号：
CN110277387B
授权公告日：
2025-01-17
申请人：
意法半导体法国公司; 意法半导体(克洛尔2)公司
地址：
法国蒙鲁日
发明人：
专辑：
工程科技Ⅱ辑
专题：
工业通用技术及设备
主分类号：
H10D84/83
分类号：
H10D84/83;H10D30/67;H03K19/094
国省代码：
FR0HDMTG
页数：
9
代理机构：
北京市金杜律师事务所
代理人：
王茂华
优先权：
2018-03-13 FR 1852165
主权项：
1.一种反相器,包括：半导体衬底；Z～2-FET开关,设置在所述半导体衬底的第一表面处；以及又一开关,设置在所述半导体衬底的所述第一表面处,所述又一开关具有在第一参考端子和第二参考端子之间与所述Z～2-FET开关的电流路径串联耦合的电流路径；其中所述Z～2-FET开关具有耦合至所述第一参考端子的阳极、耦合至反相器输出端子的阴极、耦合至反相器输入端子的栅极。
摘要：
本公开涉及反相电路。一种反相器包括半导体衬底。Z～2-FET开关设置在半导体衬底的第一表面处,并且又一开关设置在半导体衬底的第一表面处。又一开关和Z～2-FET开关具有耦合在第一参考端子和第二参考端子之间的电流路径。
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期刊共3条
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