具有改进的电荷存储容量的集成成像设备
发布时间：2025-01-10 11:24:46 人气：6
具有改进的电荷存储容量的集成成像设备
专利类型：
发明授权
申请(专利)号：
CN201911147619.4
申请日：
2019-11-21
授权公告号：
CN111211139B
授权公告日：
2025-01-10
申请人：
地址：
法国克洛尔
发明人：
专辑：
工程科技Ⅱ辑
专题：
工业通用技术及设备
主分类号：
H10F39/18
分类号：
H10F39/18
国省代码：
FR0ISCLL
页数：
16
代理机构：
北京市金杜律师事务所
代理人：
董莘
优先权：
2018-11-22 FR 1871689
主权项：
1.一种集成成像设备,包括：至少一个像素,其中每个像素包括：延伸到衬底中的沟槽；涂覆所述沟槽的绝缘体；在所述沟槽内的堆叠,所述堆叠包括第一多晶硅区域和第二多晶硅区域,其中所述堆叠内的所述第一多晶硅区域和所述第二多晶硅区域通过绝缘材料层彼此绝缘；以及电容器,所述电容器具有：由所述第二多晶硅区域形成的第一电极、由所述绝缘材料层形成的电介质、以及被耦合到存储区域的第二电极,所述存储区域被配置成存储表示所述像素的照度的电荷。
摘要：
本公开的实施例涉及具有改进的电荷存储容量的集成成像设备。一种集成成像设备包括像素,该像素具有延伸到衬底中的沟槽。沟槽涂覆有绝缘体并且填充有包括第一多晶硅区域和第二多晶硅区域的堆叠。第一和第二多晶硅区域通过绝缘材料的层彼此分离。第一多晶硅区域可以形成垂直晶体管的栅极电极,并且第二多晶硅区域可以形成电容器的电极。
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