具有电容性去耦结构的标准集成单元
发布时间：2024-11-16 11:51:15 人气：2
具有电容性去耦结构的标准集成单元
专利类型：
发明授权
申请(专利)号：
CN201910087359.X
申请日：
2019-01-29
授权公告号：
CN110098185B
授权公告日：
2024-11-15
申请人：
地址：
法国鲁塞
发明人：
专辑：
信息科技
专题：
无线电电子学
主分类号：
H01L27/02
分类号：
H01L27/02;H01L27/06;H01L23/64
国省代码：
FR0HARST
页数：
14
代理机构：
北京市金杜律师事务所
代理人：
王茂华;崔卿虎
优先权：
2018-01-30 FR 1850725
主权项：
1.一种标准集成单元,包括：至少一个半导体区域,包括至少一个功能域和至少一个连续性域,所述至少一个功能域包含至少一个晶体管,所述至少一个连续性域被配置为定位为与至少一个其他标准集成单元的至少一个其他连续性域相邻；以及至少一个电容元件,被容纳在所述至少一个连续性域或者所述至少一个晶体管的衬底区域周围中的至少一项中,其中被容纳在所述至少一个连续性域中或者所述至少一个晶体管的衬底区域周围的所述至少一个电容元件包括至少一个电容沟槽,所述至少一个电容沟槽包括由电介质壁包围的垂直导电区域。
摘要：
本文公开了具有电容性去耦结构的标准集成单元。一种标准集成单元包括半导体区域,半导体区域具有用于逻辑电路的功能域和相邻的连续性域,逻辑电路包括晶体管,连续性域向外延伸到标准集成单元的边缘。边缘被配置为与另一标准集成单元的另一连续性域相邻。标准集成单元还包括电容元件。该电容元件可以被容纳在连续性域中,例如在边缘处或附近。可替代地,电容元件可以被容纳在围绕晶体管的衬底区域延伸的位置处。
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