电子器件图像传感器
发布时间：2024-11-08 11:53:29 人气：2
电子器件图像传感器
专利类型：
发明授权
申请(专利)号：
CN201811420437.5
申请日：
2018-11-26
授权公告号：
CN109994493B
授权公告日：
2024-11-08
申请人：
地址：
法国克洛尔
发明人：
专辑：
信息科技
专题：
无线电电子学
主分类号：
H01L27/146
分类号：
H01L27/146
国省代码：
FR0ISCLL
页数：
19
代理机构：
北京市金杜律师事务所
代理人：
王茂华;袁端端
优先权：
2017-12-08 FR 1761836
主权项：
1.一种电子器件,包括：半导体晶片衬底,具有正面和背面、并且包括通过贯穿通道彼此分离的半导体部分；电子电路,位于所述半导体部分处、并且包括电子电路和光电二极管；电介质层,包括连接到所述电子电路的电连接网络,所述电介质层位于所述半导体晶片衬底的正面处、并且在所述贯穿通道之上经过；位于所述贯穿通道内的导电填料,所述导电填料从所述正面朝向所述半导体晶片衬底的背面延伸、并且连接到所述电连接网络；以及电介质层,被配置为提供所述导电填料的金属材料到所述半导体晶片衬底的半导体部分中的反扩散,所述电介质层包括位于所述半导体部分的侧面与所述导电填料之间的内部电介质层、以及连接到所述内部电介质层的背面电介质层,其中所述背面电介质层延伸到所述贯穿通道中。
摘要：
本文公开了电子器件图像传感器。一种电子器件包括具有通过贯穿通道彼此分离的半导体部分的衬底半导体晶片。电子电路和具有电连接网络的电介质层形成在衬底半导体晶片的正面。导电填料被包含在贯穿通道内并且连接到电连接网络。用于反扩散保护的内部电介质层设置在导电填料与半导体部分之间的贯穿通道中。背面电介质层连接到内部电介质层。
查看法律状态
相似专利
[1] 电子器件图像传感器. F·罗伊;S·克亨.中国专利:CN109994493A,2019-07-09
[2] 电子器件. F·罗伊;S·克亨.中国专利:CN209389037U,2019-09-13
本领域科技成果与标准
科技成果
相关标准
未找到相关数据
研究与应用
本专利研制背景
本专利应用动态
所涉核心技术研究动态
