用于产生二极管的方法
发布时间：2024-10-25 11:57:21 人气：5
用于产生二极管的方法
专利类型：
发明授权
申请(专利)号：
CN202010591265.9
申请日：
2020-06-24
授权公告号：
CN112151373B
授权公告日：
2024-10-25
申请人：
地址：
法国克洛尔
发明人：
专辑：
信息科技
专题：
无线电电子学
主分类号：
H01L21/329
分类号：
H01L21/329;H01L21/8222;H01L29/06
国省代码：
FR0ISCLL
页数：
34
代理机构：
北京市金杜律师事务所
代理人：
董莘
优先权：
2019-06-28 FR 1907149
主权项：
1.一种用于产生电子组件的方法,包括：在公共衬底上共同地产生至少一个双极型晶体管和至少一个可变电容二极管,其中共同产生包括：形成所述双极型晶体管的非本征基极；利用与所述非本征基极接触的链路来填充在层的区域之间的凹口；以及形成所述至少一个可变电容二极管,以包括具有第一导电类型的第一区和具有第二导电类型的第二区,所述第一区位于所述第二区的顶部上；其中所述第一区和与所述链路接触的区域由在同一沉积步骤中沉积的层形成。
摘要：
本公开涉及一种用于产生电子组件的方法。通过该方法在公共衬底上共同地产生至少一个双极型晶体管和至少一个可变电容二极管。
查看法律状态
相似专利
[1] 用于产生二极管的方法. P·舍瓦利耶;A·高蒂尔;G·阿弗尼耶.中国专利:CN112151373A,2020-12-29
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科技成果
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研究与应用
本专利研制背景
本专利应用动态
所涉核心技术研究动态
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