包括具有共用基极的晶体管的集成电路
发布时间：2024-09-17 17:33:33 人气：5
包括具有共用基极的晶体管的集成电路
专利类型：
发明授权
申请(专利)号：
CN201910271363.1
申请日：
2019-04-04
授权公告号：
CN110349991B
授权公告日：
2024-09-17
申请人：
地址：
法国鲁塞
发明人：
专辑：
工程科技Ⅱ辑
专题：
工业通用技术及设备
主分类号：
H10B63/10
分类号：
H10B63/10
国省代码：
FR0HARST
页数：
13
代理机构：
北京市金杜律师事务所
代理人：
王茂华
优先权：
2018-04-06 FR 1853041
主权项：
1.一种集成电路,包括：双极晶体管的行,包括：多个第一导电区域；第二导电区域；共用基极,在所述第一导电区域和所述第二导电区域之间；以及多个绝缘体壁,在第一方向上延伸,所述第一导电区域通过所述绝缘体壁彼此分离；绝缘沟槽,在第二方向上延伸、并且与所述双极晶体管的行中的每个双极晶体管接触,所述绝缘沟槽完全地跨所述共用基极延伸并且至少部分地延伸到所述第二导电区域中；以及耦合到所述基极的导电层,所述导电层延伸穿过所述绝缘体壁、并且至少部分地延伸到所述绝缘沟槽中。
摘要：
本公开的实施例涉及包括具有共用基极的晶体管的集成电路。本公开涉及包括一行或多行晶体管的集成电路和形成晶体管行的方法。在一个实施例中,集成电路包括双极晶体管的行,该双极晶体管的行包括具有多个第一导电区域的第一半导体层、具有第二导电区域的第二半导体层、在第一半导体层和第二半导体层之间的共用基极、和在第一方向上延伸的多个绝缘体壁。第一导电区域通过绝缘体壁彼此分离。集成电路还包括在第二方向上延伸并与该双极晶体管的行中的每个双极晶体管接触的绝缘沟槽。导电层耦合到基极,并且导电层延伸穿过绝缘体壁并且至少部分地延伸到绝缘沟槽中。
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