用于制造电子芯片的方法

专利类型：

发明授权

申请(专利)号：

CN202011414601.9

申请日：

2020-12-03

授权公告号：

CN112908935B

授权公告日：

2024-09-10

申请人：

意法半导体(图尔)公司

地址：

法国图尔

发明人：

L·法卢尔; C·赛里

专辑：

信息科技

专题：

无线电电子学

主分类号：

H01L21/78

分类号：

H01L21/78;H01L21/56;H01L21/60

国省代码：

FR0ILTOU

页数：

29

代理机构：

北京市金杜律师事务所

代理人：

罗利娜

优先权：

2019-12-04 FR 1913746

主权项：

1.一种用于制造电子芯片的方法,包括：在半导体基底的顶面侧上,每集成电路沉积至少一个金属连接柱,多个集成电路已经被形成在所述半导体基底中以及所述半导体基底上,所述至少一个金属连接柱直接实体接触所述集成电路的顶面,以及沉积横向地包围所述金属连接柱的保护树脂；形成从所述保护树脂的顶面竖直地延伸穿过所述保护树脂的开口,以便暴露出每个集成电路的至少一个金属连接柱的侧翼；以及在形成所述开口后,通过沿着跨所述开口延伸的切割线切割所述保护树脂,将所述集成电路分隔成单独的芯片。

摘要：

本公开的实施例涉及一种用于制造电子芯片的方法。一种用于制造电子芯片的方法,包括：在半导体基底的顶面侧上形成使所述集成电路横向地分隔的沟槽,多个集成电路已经被形成在半导体基底中以及该半导体基底上；在基底的顶面侧上每集成电路沉积至少一个金属连接柱,以及沉积在沟槽中和在集成电路的顶面上延伸的保护树脂。方法还包括从保护树脂的顶面形成被跨沟槽定位的开口,并且开口在大于或者等于沟槽的宽度的宽度上延伸,以便清理出每个集成电路的至少一个金属柱的侧翼。通过切割使集成电路分隔成单独的芯片。

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