用于制造电子芯片的方法

专利类型：

发明授权

申请(专利)号：

CN202011409752.5

申请日：

2020-12-04

授权公告号：

CN112908934B

授权公告日：

2024-09-10

申请人：

意法半导体(图尔)公司

地址：

法国图尔

发明人：

L·法卢尔; C·赛里

专辑：

信息科技

专题：

无线电电子学

主分类号：

H01L21/78

分类号：

H01L21/78;H01L21/56

国省代码：

FR0ILTOU

页数：

28

代理机构：

北京市金杜律师事务所

代理人：

罗利娜

优先权：

2019-12-04 FR 1913750

主权项：

1.一种用于制造电子芯片的方法,包括：在半导体基底的上表面侧上沉积保护性树脂,在所述半导体基底中和在所述半导体基底上已经形成多个集成电路；在所述保护性树脂中,针对每个集成电路形成与所述集成电路的上表面接触的至少一个腔；通过利用金属填充所述腔来形成金属连接柱；以及通过沿着在所述金属连接柱之间延伸的切割线切割所述保护性树脂,将所述集成电路分成单独的芯片；其中所述沉积保护性树脂包括：在所述半导体基底的上表面侧上,针对每个集成电路形成与所述集成电路的上表面接触的至少一个牺牲树脂柱；在所述基底的上表面侧上,沉积在所述牺牲树脂柱之间延伸的所述保护性树脂。

摘要：

本公开的各实施例涉及用于制造电子芯片的方法。一种用于制造电子芯片的方法包括：在半导体基底的上表面侧上沉积保护性树脂,在该半导体基底中和在该半导体基底上已经形成多个集成电路。该方法包括：在保护性树脂中针对每个集成电路形成与集成电路的上表面接触的至少一个腔。通过利用金属填充腔来形成金属连接柱。通过沿着在金属连接柱之间延伸的切割线切割保护性树脂将集成电路分成单独的芯片。

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本领域科技成果与标准

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