一种PNP型双极晶体管制造方法
发布时间：2024-09-06 17:36:28 人气：4
一种PNP型双极晶体管制造方法
专利类型：
发明授权
申请(专利)号：
CN202110551865.7
申请日：
2017-02-24
授权公告号：
CN113270490B
授权公告日：
2024-09-06
申请人：
地址：
法国克洛尔
发明人：
专辑：
信息科技
专题：
无线电电子学
主分类号：
H01L29/732
分类号：
H01L29/732;H01L29/06;H01L29/08;H01L27/06;H01L27/082;H01L27/102;H01L21/331;H01L21/8228;H01L21/8249;H01L29/423
国省代码：
FR0ISCLL
页数：
20
代理机构：
北京市金杜律师事务所
代理人：
赵尤斌
优先权：
2016-07-22 FR 1657067
分案原申请号：
201710104749.4 2017.02.24
主权项：
1.一种集成电路NPN型双极晶体管,包括：集电极,由N型掺杂阱形成,所述N型掺杂阱由浅沟槽隔离横向界定；绝缘层,在所述浅沟槽隔离之上延伸并且包括第一开口；基极,由在所述第一开口内并与所述N型掺杂阱的顶部接触的外延P型掺杂区域形成,所述外延P型掺杂区域具有上表面；非本征基极,由P型掺杂的多晶硅层形成,所述P型掺杂的多晶硅层与所述绝缘层的顶部表面接触并与所述外延P型掺杂区域的所述上表面接触而延伸,所述P型掺杂的多晶硅层包括在所述外延P型掺杂区域的所述上表面之上的第二开口；间隔物,保护所述第二开口的横向表面；发射极,由外延N型区域形成,所述外延N型区域包括第一部分和第二部分,所述第一部分延伸通过所述间隔物中的开口以接触所述外延P型掺杂区域的所述上表面,所述第二部分由所述间隔物横向界定；其中所述非本征基极包括与所述发射极和所述间隔物横向偏移的基极接触表面。
摘要：
一种与制造NPN、NMOS、和PMOS晶体管并行地制造PNP晶体管的方法,该PNP双极晶体管制造方法包括以下连续步骤：在P型掺杂半导体衬底上沉积第一半导体层,该第一半导体层被划分为第一、第二和第三区域；向该衬底中深注入绝缘阱；在所述第二和第三区域与所述绝缘阱之间注入分别为第一N型、第二P型和第三P型掺杂阱；在该第三区域上沉积第一绝缘层以及在该第一绝缘层上方可选择性蚀刻的第二绝缘层,并且创建掩膜；在该掩膜中选择性外延第二P型掺杂半导体层。
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