针对基于PMOS的开关的过电压保护电路
发布时间：2024-09-03 17:36:52 人气：4
针对基于PMOS的开关的过电压保护电路
专利类型：
发明授权
申请(专利)号：
CN202011294900.3
申请日：
2020-11-18
授权公告号：
CN112910448B
授权公告日：
2024-09-03
申请人：
意法半导体(鲁塞)公司; 意法半导体国际有限公司
地址：
法国鲁塞
发明人：
专辑：
信息科技
专题：
无线电电子学
主分类号：
H03K17/08
分类号：
H03K17/08;H02H7/20;H02H3/20
国省代码：
FR0HARST
页数：
20
代理机构：
北京市金杜律师事务所
代理人：
罗利娜
优先权：
2019-11-19 US 62/937,720;2020-11-11 US 17/095,652
主权项：
1.一种用于过电压保护的方法,包括：接收集成电路的焊盘处的焊盘电压；如果所述焊盘电压高于所述集成电路的供应电压,生成最大电压信号,所述最大电压信号是所述焊盘电压；以及如果所述焊盘电压高于所述供应电压,向第一PMOS晶体管的栅极端子供应所述最大电压信号,所述第一PMOS晶体管被耦合到所述焊盘,所述第一PMOS晶体管是向所述焊盘提供数据的I/O驱动器的一部分。
摘要：
本公开的实施例涉及针对基于PMOS的开关的过电压保护电路。集成电路包括过电压保护电路。过电压保护电路检测集成电路焊盘处的过电压事件。过电压保护电路生成最大电压信号,该最大电压信号是焊盘处电压、以及集成电路的供应电压中的较大项。当过电压事件存在于焊盘上时,过电压保护电路通过向PMOS晶体管的栅极供应最大电压信号,禁用被耦合到焊盘的PMOS晶体管。
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科技成果
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