具有两个相变存储器的电子芯片
发布时间：2024-09-03 17:37:31 人气：5
具有两个相变存储器的电子芯片
专利类型：
发明授权
申请(专利)号：
CN202110343158.9
申请日：
2021-03-30
授权公告号：
CN113471358B
授权公告日：
2024-09-03
申请人：
地址：
法国克洛尔
发明人：
专辑：
工程科技Ⅱ辑
专题：
工业通用技术及设备
主分类号：
H10N70/00
分类号：
H10N70/00;H10B63/00
国省代码：
FR0ISCLL
页数：
27
代理机构：
北京市金杜律师事务所
代理人：
董莘
优先权：
2020-03-30 FR 2003106;2021-03-29 US 17/216,193
主权项：
1.一种电子芯片,包括：第一基本单元的第一阵列和第二基本单元的第二阵列,每个第一基本单元和每个第二基本单元将至少一个数据位存储在存储元件中,所述存储元件具有取决于所存储的位的状态,其中；所述第一基本单元的第一阵列包括相变材料的第一类型并且所述第二基本单元的第二阵列包括相变材料的第二类型,所述第二类型不同于所述第一类型,所述存储元件由相变材料的体积形成,所述相变材料的体积被配置为取决于所存储的位而具有晶态或非晶态,每个第一基本单元包括第一相变材料的体积,每个第二基本单元包括第二相变材料的体积,所述第二相变材料与所述第一相变材料不同,所述第二相变材料取决于所存储的位而具有晶态或非晶态,每个第一基本单元和每个第二基本单元包括金属接触；并且每个第一基本单元和每个第二基本单元包括加热连接器,所述加热连接器被配置为使加热电流通过,以引起每个第一基本单元的相变材料的体积的相变和每个第二基本单元的相变材料的体积的相变,每个第一基本单元和每个第二基本单元的所述加热连接器呈具有大于90°角度的L形,并且耦合到所述金属接触和所述相变材料的体积两者。
摘要：
本公开的实施例涉及具有两个相变存储器的电子芯片。电子芯片包括：第一基本单元的第一阵列和第二基本单元的第二阵列,第一基本单元和第二基本单元形成两种类型的相变存储器,相变存储器具有由相变材料的体积形成的存储元件,该相变材料的体积取决于所存储的位而具有晶态或非晶态。每个第一基本单元包括第一相变材料的体积,并且每个第二基本单元包括与第一材料不同的第二相变材料的体积。每个基本单元包括加热连接器,加热连接器被配置用于加热电流的通道,该加热电流适于引起基本单元的相变材料的体积的相变。
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