物理不可克隆的功能器件
发布时间：2024-07-05 10:25:35 人气：0
物理不可克隆的功能器件
专利类型：
发明授权
申请(专利)号：
CN201980083137.9
申请日：
2019-11-28
授权公告号：
CN113228557B
授权公告日：
2024-07-05
申请人：
地址：
法国鲁塞
发明人：
专辑：
信息科技
专题：
电信技术
主分类号：
H04L9/32
分类号：
H04L9/32;H03K19/00
国省代码：
FR0HARST
页数：
24
代理机构：
北京市金杜律师事务所
代理人：
董莘
优先权：
2018-12-13 FR 1872826
国际申请：
2019-11-28 PCT/FR2019/000193
国际公布：
2020-06-18 WO2020/120847 FR
进入国家日期：
2021-06-15
主权项：
1.一种集成电路,包括至少一个区域(DD),所述区域(DD)包括物理不可克隆的功能器件(DIS),所述器件(DIS)包括：-二极管连接的MOS晶体管(TR1i、TR2j)的集合,具有相应的阈值电压的随机分布,所述集合包括N个第一晶体管和至少一个第二晶体管,-第一装置(FM1i),被配置以便在每个第一晶体管上施加固定的相应的栅极电压,而不管在该第一晶体管中流动的电流的值如何,-第二装置(SM2j),被配置以便在每个第二晶体管上施加固定的相应的栅极电压,而不管在该第二晶体管中流动的电流的值如何,-能够传递信号的所述功能的至少一个输出节点,所述信号的电平取决于从等于或基本上等于在所述N个第一晶体管中流动的电流的平均值的参考电流获取的第一电流与从在所述至少一个第二晶体管中流动的电流获取的第二电流之间的比较。
摘要：
物理不可克隆的功能器件(DIS)包括安装在二极管中的MOS晶体管(TR1i、TR2j)的集合,该器件具有相应的阈值电压的随机分布,并且包括N个第一晶体管以及至少一个第二晶体管。功能的至少一个输出节点是能够传递信号,信号的电平取决于使用在至少一个第二晶体管中循环的电流获得的电流与使用等于或基本上等于在N个第一晶体管中的循环的电流的平均值的参考电流获得的电流之间的比较。第一装置(FM1i)被配置为在每个第一晶体管上施加相应的固定栅极电压而不管在第一晶体管中循环的电流的值,以及第二装置(SM2j)被配置为在每个第二晶体管上施加相应的固定栅极电压而不管在第二晶体管中循环的电流的值。
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