垂直晶闸管
发布时间：2024-06-21 10:29:54 人气：0
垂直晶闸管
专利类型：
发明授权
申请(专利)号：
CN201911319805.1
申请日：
2019-12-19
授权公告号：
CN111354781B
授权公告日：
2024-06-21
申请人：
地址：
法国图尔
发明人：
专辑：
信息科技
专题：
无线电电子学
主分类号：
H01L29/08
分类号：
H01L29/08;H01L29/74
国省代码：
FR0ILTOU
页数：
17
代理机构：
北京市金杜律师事务所
代理人：
董莘
优先权：
2018-12-20 FR 1873566
主权项：
1.一种晶闸管,包括：交替导电类型的第一半导体区域、第二半导体区域、第三半导体区域和第四半导体区域的垂直堆叠；其中所述第四半导体区域被所述第三半导体区域的一部分中断,所述第三半导体区域的所述一部分形成所述晶闸管的栅极区；栅极金属化,所述栅极金属化与所述栅极区中的所述第三半导体区域的一部分的上表面接触；以及其中所述第四半导体区域被所述第三半导体区域的另外部分中断,所述第三半导体区域的所述另外部分形成连续通道,所述连续通道从所述栅极金属化与所述第三半导体区域接触的位置朝向所述第四半导体区域的横向边缘纵向延伸远离；以及其中所述第三半导体区域的所述另外部分的上表面与所述第四半导体区域的上表面齐平,并且所述另外部分的所述上表面沿着所述连续通道的整个长度从所述位置朝向所述横向边缘延伸。
摘要：
本公开的实施例涉及垂直晶闸管。一种晶闸管由交替导电类型的第一半导体区域、第二半导体区域、第三半导体区域和第四半导体区域的垂直堆叠形成。第四半导体区域在晶闸管的栅极区中被中断。第四半导体区域进一步在连续通道中被中断,该连续通道从栅极区域朝向第四半导体区域的外部横向边缘纵向延伸。栅极金属层在晶闸管的栅极区之上延伸。阴极金属层在第四半导体区域之上但不在连续通道之上延伸。
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