紧凑型EEPROM存储器单元
发布时间：2024-03-08 15:30:20 人气：11
紧凑型EEPROM存储器单元
专利类型：
发明授权
申请(专利)号：
CN201811037747.9
申请日：
2018-09-06
授权公告号：
CN109545263B
授权公告日：
2024-03-08
申请人：
地址：
法国鲁塞
发明人：
专辑：
信息科技
专题：
计算机硬件技术
主分类号：
G11C16/24
分类号：
G11C16/24;G11C16/08;H10B41/35;H10B41/41
国省代码：
FR0HARST
页数：
24
代理机构：
北京市金杜律师事务所
代理人：
王茂华;张曦
优先权：
2017-09-20 FR 1758697
主权项：
1.一种在半导体衬底的表面处形成的电可擦除可编程非易失性存储器器件,所述存储器器件包括：多个位线；多个源极线；以及存储器平面,包括多个存储器单元,每个存储器单元包括具有源极区域、漏极区域、控制栅极和浮置栅极的状态晶体管,每个存储器单元还包括具有源极区域、漏极区域和栅极的访问晶体管；其中每个访问晶体管的源极区域耦合到所述多个源极线中的源极线；其中所述访问晶体管的漏极区域和所述状态晶体管的源极区域是共同的；其中每个状态晶体管的漏极区域耦合到所述多个位线中的位线；并且其中每个存储器单元的浮置栅极覆盖介电层,所述介电层具有第一部分和第二部分,所述第一部分具有第一厚度,所述第二部分具有小于所述第一厚度的第二厚度,所述第二部分位于所述状态晶体管的源极区域侧,其中所述状态晶体管被配置为：在编程操作和擦除操作期间,通过所述第二部分而经受由于福勒-诺德海姆效应引起的电荷注入,而不使擦除或编程电压通过所述访问晶体管。
摘要：
一种EEPROM存储器集成电路包括布置在存储器平面中的存储器单元。每个存储器单元包括与状态晶体管串联的访问晶体管。每个访问晶体管经由其源极区域耦合到对应的源极线,并且每个状态晶体管经由其漏极区域耦合到对应的位线。每个状态晶体管的浮置栅极倚靠在具有第一部分和第二部分的介电层上,第一部分具有第一厚度,第二部分具有小于第一厚度的第二厚度。第二部分位于状态晶体管的源极侧。
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