双极晶体管
发布时间：2024-01-30 12:14:19 人气：8
双极晶体管
专利类型：
发明授权
申请(专利)号：
CN201910939656.2
申请日：
2019-09-30
授权公告号：
CN111009574B
授权公告日：
2024-01-30
申请人：
意法半导体有限公司; 意法半导体(克洛尔2)公司
地址：
法国蒙鲁
发明人：
专辑：
信息科技
专题：
无线电电子学
主分类号：
H01L29/417
分类号：
H01L29/417;H01L21/331;H01L29/73
国省代码：
FR0HDMTG
页数：
24
代理机构：
北京市金杜律师事务所
代理人：
董莘
优先权：
2018-10-08 FR 1859284
主权项：
1.一种制造双极晶体管的方法,包括：形成集电极的第一部分,所述集电极的所述第一部分在绝缘沟槽下方延伸；以及形成所述集电极的第二部分,所述集电极的所述第二部分穿过所述绝缘沟槽,其中所述集电极的所述第二部分的底部和所述集电极的所述第一部分的顶部物理接触,其中形成所述集电极的所述第二部分包括：刻蚀位于所述绝缘沟槽上方的导电元件；以及在所述导电元件的经刻蚀的位置处形成所述集电极的所述第二部分,使得在所述集电极的所述第二部分和所述导电元件之间形成第一气穴。
摘要：
本公开的实施例涉及双极晶体管。一种双极晶体管包括集电极。集电极由以下部分形成：集电极的第一部分,在绝缘沟槽下方延伸；以及集电极的第二部分,穿过绝缘沟槽。集电极的第一和第二部分物理接触。
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