包括含相变材料的板载非易失性存储器的芯片
发布时间：2023-12-08 12:51:39 人气：11
包括含相变材料的板载非易失性存储器的芯片
专利类型：
发明授权
申请(专利)号：
CN201811308746.3
申请日：
2018-11-05
授权公告号：
CN109768012B
授权公告日：
2023-12-08
申请人：
意法半导体(格勒诺布尔2)公司; 意法半导体(克洛尔2)公司; 意法半导体(鲁塞)公司
地址：
法国格勒诺布尔
发明人：
F·亚瑙德; D·加尔平; S·佐尔; O·欣西格; L·法韦内克; J-P·奥杜; L·布劳苏斯; P·波伊文; O·韦伯; P·布龙; P·莫林
专辑：
信息科技
专题：
无线电电子学
主分类号：
H01L21/768
分类号：
H01L21/768;H01L23/367;H01L23/522
国省代码：
FR0I
页数：
16
代理机构：
北京市金杜律师事务所
代理人：
王茂华;张昊
优先权：
2017-11-09 FR 1760543
主权项：
1.一种制造电子芯片的方法,所述电子芯片包含存储单元和晶体管,所述存储单元包括相变材料,所述方法包括：a)在半导体衬底中形成晶体管；b)形成延伸穿过第一绝缘层以接触所述晶体管的有源区的单个通孔,所述第一绝缘层堆叠在所述晶体管上；c)形成第一金属层级,所述第一金属层级包括延伸穿过直接堆叠在所述第一绝缘层上的第二绝缘层的第一互连迹线；以及d)针对存储单元,在所述第二绝缘层中蚀刻开口,以提供所述第二绝缘层的部分的第一侧和第二侧,在所述第二绝缘层的所述部分的所述第二侧上形成第二绝缘间隔件,并且所述第二绝缘间隔件在所述单个通孔的顶侧与所述第一金属层级之上的相变材料的底侧之间延伸并与之直接物理接触,在所述第二绝缘层中形成单个加热元件,在所述加热元件上形成第三绝缘间隔件,所述第三绝缘间隔件具有相对的第一侧壁和第二侧壁,所述第三绝缘间隔件的第一侧壁为凸形,所述第三绝缘间隔件的第二侧壁为平面状,并与所述加热元件直接物理接触,在所述第三绝缘间隔件的第一侧壁上形成第一绝缘间隔件,所述第一绝缘间隔件具有凹形的第一侧壁,所述凹形的第一侧壁与所述第三绝缘间隔件的第一侧壁直接物理接触,其中,所述单个加热元件为L形,所述单个加热元件具有沿所述半导体衬底的第一轴在所述第二绝缘间隔件和所述第三绝缘间隔件的第二侧壁之间延伸并与之直接物理接触的长边,该长边从所述单个通孔的顶侧延伸并与之直接物理接触,以与所述第一金属层级之上的所述相变材料的底侧直接物理接触,所述长边的长度大于所述第一互连迹线沿所述半导体衬底的第一轴的厚度,所述单个加热元件还具有短边,该短边沿所述第三绝缘间隔件的底侧和所述单个通孔的顶侧延伸并与之直接物理接触,并且所述单个加热元件被配置为加热所述第一金属层级之上的所述相变材料,所述单个加热元件由均匀的成分组成。
摘要：
本公开涉及包括含相变材料的板载非易失性存储器的芯片。电子芯片包括由相变材料和晶体管制成的存储单元。第一和第二通孔从晶体管穿过中间绝缘层延伸到相同高度。包括与第一通孔接触的第一互连迹线的第一金属层级位于中间绝缘层之上。用于加热相变材料的加热元件位于第二通孔上,并且相变材料位于加热元件上。包括第二互连迹线的第二金属层级位于相变材料上方。第三通孔从相变材料延伸到第二互连迹线。
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[1] 包括含相变材料的板载非易失性存储器的芯片. F·亚瑙德;D·加尔平;S·佐尔;O·欣西格;L·法韦内克;J-P·奥杜;L·布劳苏斯;P·波伊文;O·韦伯;P·布龙;P·莫林.中国专利:CN109768012A,2019-05-17
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