集成的物理不可克隆功能设备及其制造方法
发布时间：2023-06-20 09:49:50 人气：12
集成的物理不可克隆功能设备及其制造方法
专利类型：
发明授权
申请(专利)号：
CN201710828035.8
申请日：
2017-09-14
授权公告号：
CN108630682B
授权公告日：
2023-06-20
申请人：
意法半导体(克洛尔2)公司; 意法半导体(鲁塞)公司
地址：
法国克洛尔
发明人：
专辑：
信息科技
专题：
无线电电子学
主分类号：
H01L27/088
分类号：
H01L27/088;H01L21/8234;H01L23/00
国省代码：
FR
页数：
31
代理机构：
北京市金杜律师事务所
代理人：
王茂华;丁君军
优先权：
2017-03-22 FR 1752336
主权项：
1.一种集成电路,包括：域,其包括物理不可克隆功能设备,所述物理不可克隆功能设备包括呈现相应的阈值电压的随机分布的MOS晶体管集合；第一耦合链接,其经由公共节点将所述MOS晶体管集合中的一组N个第一晶体管和所述MOS晶体管集合中的第二晶体管耦合；第二耦合链接,其在所述公共节点与所述物理不可克隆功能设备的输出节点之间,其中所述第一耦合链接被配置为：当所述域被供电时并且当所述第一耦合链接处于第一状态时,生成主电流并且将所述主电流分布在所述一组N个第一晶体管中,以便针对每个第一晶体管生成第一平均栅源电压；通过所述第一平均栅源电压对所述第二晶体管的栅极进行偏置；以及向所述公共节点递送参考电流,其中所述参考电流等于对应于所述主电流的1/N的基础电流,并且其中所述第二耦合链接被配置为向所述输出节点递送输出信号,所述输出信号取决于所述参考电流与穿过所述第二晶体管的电流之间的比较。
摘要：
本公开的实施例涉及集成的物理不可克隆功能设备及其制造方法。一种用于物理不可克隆功能的集成设备基于呈现阈值电压的随机分布的MOS晶体管集合,这例如起因于通过多晶硅层的注入,阈值电压由呈现不可预测的特征的掺杂物的横向注入而获得。特定数目的这些晶体管形成一组量规晶体管,其将使得定义平均栅源电压成为可能,这使得对这些晶体管的某些其他晶体管的栅极进行偏置成为可能(其将被用于定义由功能生成的唯一码的各个比特)。因此,所有这些晶体管呈现漏源电流的随机分布,并且与数字码的比特相关联的晶体管的每个漏源电流与对应于该分布的平均的参考电流的比较使得定义该比特为逻辑值0或1成为可能。
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