包括至少一个双极晶体管的集成电路和相应的制造方法
发布时间：2025-12-23 08:55:05 人气：25
包括至少一个双极晶体管的集成电路和相应的制造方法
专利类型：
发明授权
申请(专利)号：
CN202210553761.4
申请日：
2022-05-20
授权公告号：
CN115377097B
授权公告日：
2025-12-23
申请人：
地址：
法国鲁塞
发明人：
专辑：
工程科技Ⅱ辑
专题：
工业通用技术及设备
主分类号：
H10D84/40
分类号：
H10D84/40;H10D84/01;H10D10/00;H10D10/01
国省代码：
FR0HARST
页数：
20
代理机构：
北京市金杜律师事务所
代理人：
董莘
优先权：
2021-05-21 FR 2105334;2022-05-18 US 17/747,540
主权项：
1.一种集成电路,包括设置在第一类型的掺杂半导体衬底中和/或设置在所述第一类型的掺杂半导体衬底上的达林顿型双极晶体管,所述达林顿型双极晶体管包括：公共集电极区,用于所述达林顿型双极晶体管的第一晶体管和第二晶体管,所述公共集电极区包括在所述掺杂半导体衬底中与第一类型相反的第二类型的掩埋半导体层,以及连接所述掩埋半导体层的所述第二类型的掺杂环形阱；所述第一类型的掺杂半导体阱,由所述环形阱围绕并且由所述掩埋半导体层界定；垂直结构,垂直延伸穿过所述掺杂半导体阱,以将所述掺杂半导体阱划分为包含用于所述第一晶体管的第一基极区,所述第一基极区与用于所述第二晶体管的第二基极区电绝缘；用于所述第一晶体管的所述第二类型的掺杂第一发射极区,位于所述第一基极区中；用于所述第二晶体管的所述第二类型的掺杂第二发射极区,位于所述第二基极区中；以及导体轨道,用于将用于所述第一晶体管的所述第一发射极区与用于所述第二晶体管的所述第二基极区电耦接。
摘要：
公开了包括至少一个双极晶体管的集成电路和相应的制造方法。双极晶体管,包括公共集电极区,所述公共集电极区包括掩埋半导体层和环形阱。阱区被环形阱围绕,并被掩埋半导体层所界定。第一基极区和第二基极区由阱区形成,并通过垂直栅结构彼此隔开。在第一基极区中注入第一发射极区,在第二基极区中注入第二发射极区。导体轨道电耦接第一发射极区和第二基极区,以将双极晶体管配置为达林顿型器件。双极晶体管的结构可以与非易失性存储器单元共集成地制造。
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