摄影传感器
发布时间：2026-02-12 15:15:52 人气：0
摄影传感器
专利类型：
发明授权
申请(专利)号：
CN202210423811.7
申请日：
2022-04-21
授权公告号：
CN115224063B
授权公告日：
2025-12-19
申请人：
地址：
法国克洛尔
发明人：
专辑：
工程科技Ⅱ辑
专题：
工业通用技术及设备
主分类号：
H10F39/18
分类号：
H10F39/18
国省代码：
FR0ISCLL
页数：
12
代理机构：
北京市金杜律师事务所
代理人：
闫昊
优先权：
2021-04-21 FR 2104163;2022-04-20 US 17/724,739
主权项：
1.一种传感器,包括：半导体衬底；所述半导体衬底中的感光点的矩阵,所述矩阵的每个感光点由包括多晶硅的隔离沟槽界定；以及所述半导体衬底的外围区,直接围绕感光点的所述矩阵延伸,所述外围区包括由包含多晶硅的隔离沟槽界定的虚设感光点；其中所述外围区中的多晶硅密度低于在感光点的所述矩阵的外边缘处的多晶硅密度,并且大于在围绕所述外围区的所述半导体衬底的范围中的多晶硅密度。
摘要：
本公开的实施例涉及摄影传感器。半导体衬底包括感光点的矩阵。每个感光点由包括多晶硅的隔离沟槽界定。外围区直接围绕感光点矩阵延伸。外围区包括由包含多晶硅的隔离沟槽界定的虚设感光点。外围区中多晶硅的密度介于在感光点矩阵边缘处的多晶硅密度与围绕外围区的多晶硅密度之间。
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