熔丝型存储器内容的保护

专利类型：

发明授权

申请(专利)号：

CN202210265421.1

申请日：

2022-03-17

授权公告号：

CN115116533B

授权公告日：

2026-01-13

申请人：

意法半导体(格勒诺布尔2)公司

地址：

法国格勒诺布尔

发明人：

M·特里莫

专辑：

信息科技

专题：

计算机硬件技术

主分类号：

G11C29/52

分类号：

G11C29/52;G11C29/54;G11C29/50;G11C29/02;G06F9/448;G06F1/24

国省代码：

FR0ISGNB

页数：

15

代理机构：

北京市金杜律师事务所

代理人：

董莘

优先权：

2021-03-18 FR 2102717;2022-03-15 US 17/654,918

主权项：

1.一种操作集成电路的方法,包括：通过有限状态机验证所述集成电路的熔丝型非易失性存储器中的第一熔丝字的值和第二熔丝字的值,所述第一熔丝字表示到所述集成电路的第一状态的转变的数目,所述第二熔丝字表示到所述集成电路的第二状态的转变的数目；基于对所述第一熔丝字的值和所述第二熔丝字的值的所述验证,允许由处于所述第一状态的处理器对所述熔丝型非易失性存储器的第一区域的读取访问；以及基于对所述第一熔丝字的值和所述第二熔丝字的值的所述验证,禁止由处于所述第二状态的所述集成电路的所述处理器对所述熔丝型非易失性存储器的读取访问。

摘要：

本公开的实施例涉及熔丝型存储器内容的保护。本公开涉及一种方法,其中集成电路在允许处理器对熔丝型非易失性存储器的第一区域的读取访问的第一状态(例如,封闭)和禁止处理器对存储器的读取访问的第二状态(例如,开封)之间的状态由有限状态机调节为对存储器的第一熔丝字的值和存储器的第二熔丝字的值的验证,所述第一熔丝字表示到第一状态的转变的数目,所述第二熔丝字表示到第二状态的转变的数目。

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