光敏传感器以及对应的制造方法
发布时间：2026-05-13 15:55:26 人气：6
光敏传感器以及对应的制造方法
专利类型：
发明授权
申请(专利)号：
CN202210681758.0
申请日：
2022-06-15
授权公告号：
CN115483306B
授权公告日：
2026-03-06
申请人：
地址：
法国克洛尔
发明人：
专辑：
工程科技Ⅱ辑
专题：
工业通用技术及设备
主分类号：
H10F30/28
分类号：
H10F30/28;H10F71/00
国省代码：
FR0ISCLL
页数：
16
代理机构：
北京市金杜律师事务所
代理人：
董莘
优先权：
2021-06-16 FR 2106356;2022-06-14 US 17/840,027
主权项：
1.一种光敏传感器,包括：至少一个像素,其中每个像素包括：第一半导体材料中的光敏区；第二半导体材料中的读取区；以及传送栅极,面向所述第一半导体材料和所述第二半导体材料的位于所述光敏区与所述读取区之间的部分；其中所述第一半导体材料具有第一带隙并且所述第二半导体材料具有与所述第一带隙不同的第二带隙；其中所述第一半导体材料与所述第二半导体材料彼此接触以形成面向所述传送栅极的异质结；并且其中在所述第一半导体材料和所述第二半导体材料的位于所述光敏区与所述读取区之间的部分中,所述第一半导体材料和所述第二半导体材料以相同的导电类型掺杂。
摘要：
本公开的各实施例涉及光敏传感器以及对应的制造方法。一种光敏传感器,包括像素,该像素由光敏区、读取区、以及传送栅极形成,光敏区在第一半导体材料中,读取区在第二半导体材料中,传送栅极面向第一半导体材料和第二半导体材料的位于光敏区与读取区之间的部分。第一半导体材料和第二半导体材料具有不同带隙,并且彼此接触以形成面向传送栅极的异质结。
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