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非易失性相变存储器装置及相关行解码方法

发布时间：2026-06-02 18:22:15 人气：2

非易失性相变存储器装置及相关行解码方法

专利类型：

发明授权

申请(专利)号：

CN202210197726.3

申请日：

2022-03-02

授权公告号：

CN115019858B

授权公告日：

2026-03-06

申请人：

意法半导体(格勒诺布尔2)公司; 意法半导体股份有限公司

地址：

法国格勒诺布尔

发明人：

A·康特; A·拉扎芬德莱贝; F·托马约洛; T·莫尔蒂耶

专辑：

信息科技

专题：

计算机硬件技术

主分类号：

G11C16/04

分类号：

G11C16/04;G11C16/06;G11C16/08

国省代码：

FR0ISGNB

页数：

代理机构：

北京市金杜律师事务所

代理人：

王茂华

优先权：

2021-03-03 IT 102021000004973;2022-02-08 US 17/667,080

主权项：

1.一种非易失性存储器装置,包括：存储器阵列,其包括多个存储器部分,每个存储器部分包括布置成行和列的相应多个存储器单元,其中所述存储器部分布置成组,存储器部分的每个组包括布置成行的多个相应存储器部分、以及延伸穿过所述相应存储器部分的多个相应字线,并且其中所述组中的所述存储器部分的所述存储器单元耦合到所述相应字线；以及行解码器,其包括预解码级,所述预解码级被配置成执行选择和随后的取消选择,在所述选择中,所述行解码器选择延伸穿过存储器部分的组的字线,并且取消选择延伸穿过所述存储器部分的组的其它字线,在所述随后的取消选择中,所述行解码器取消选择延伸穿过所述存储器部分的组的所有所述字线,所述行解码器针对存储器部分的每个组还包括：共享上拉级,其被配置为当分别选择或取消选择所述字线时,将延伸穿过所述存储器部分的组的每个字线从处于第一参考电位的节点去耦、或耦合到处于所述第一参考电位的节点,以便当取消选择时将取消选择电压施加到每个字线；多个下拉级,沿所述存储器部分的组分布,每个下拉级被配置为当被选择时,将延伸穿过所述存储器部分的组的每个字线局部耦合到处于第二参考电位的节点,以便在所述字线上局部施加选择电压,其中每个下拉级进一步被配置为当被取消选择时,将延伸穿过所述存储器部分的组的每个字线从处于所述第二参考电位的节点局部去耦；以及多个局部上拉级,沿所述存储器部分的组分布,每个局部上拉级针对延伸穿过所述存储器部分的组的每个字线包括NMOS类型的对应局部上拉晶体管,其中每个局部上拉的所述局部上拉晶体管被配置为：当选择延伸穿过所述存储器部分的组的所述字线中的一个字线时,将对应字线从处于所述第一参考电位的节点局部去耦；以及当取消选择延伸穿过所述存储器部分的组的所有所述字线时,将对应字线局部地耦合到处于所述第一参考电位的节点,以便在先前选择的所述字线上局部地恢复所述取消选择电压。

摘要：

本公开的实施例涉及非易失性相变存储器装置及相关行解码方法。在一个实施例中,非易失性存储器装置包括存储阵列,该存储阵列包括多个存储部分,每个存储部分具有相应的多个按行和列布置的存储器单元,其中存储器部分布置成组,存储器部分的每个组具有布置为行的多个相应存储器部分和延伸穿过相应存储器部分的多个相应字线,其中存储器部分的组的所述存储器单元耦合到相应字线和行解码器,行解码器包括被配置为执行选择的预解码级,在预解码级中,行解码器选择延伸穿过存储器部分的组的字线,并且取消选择延伸穿过存储器部分的组的其他字线,以及随后的取消选择,在该取消选择中,行解码器取消选择延穿过存储器部分的组的所有字线。