抗紫外衰减的正面复合钝化减反膜层及其制备方法和应用
发布时间：2026-09-18 08:41:13 人气：0
抗紫外衰减的正面复合钝化减反膜层及其制备方法和应用
专利类型：
发明授权
申请(专利)号：
CN202511402847.7
申请日：
2025-09-28
授权公告号：
CN121398262B
授权公告日：
2026-09-15
申请人：
泰州中来光电科技有限公司; 山西中来光能电池科技有限公司
地址：
225500 江苏省泰州市姜堰经济开发区开阳路6号
发明人：
专辑：
工程科技Ⅱ辑
专题：
工业通用技术及设备
主分类号：
H10F77/30
分类号：
H10F77/30;H10F71/00;H10F10/10
国省代码：
32
页数：
16
代理机构：
北京金之桥知识产权代理有限公司
代理人：
文智霞;耿璐璐
主权项：
1.一种抗紫外衰减的正面复合钝化减反膜层,其特征在于,包括从上至下依次叠层设置的氮化硅层、SiCxNy层及氧化铝层；所述氧化铝层接触硅表面；所述SiCxNy层的C/N原子配比控制在1.0-3.5：1,且SiCxNy层的C/N原子配比从氧化铝层侧至氮化硅层侧呈现逐渐增大的梯度变化；所述SiCxNy层的厚度为5-20nm；所述SiCxNy层的禁带宽度控制在2.0-3.0eV；SiCxNy层的C原子浓度控制在5-40%,且SiCxNy层的C原子浓度从氧化铝层侧至氮化硅层侧呈现逐渐增大的梯度变化。
摘要：
本发明涉及光伏技术领域,公开了一种抗紫外衰减的正面复合钝化减反膜层及其制备方法和应用。该正面复合钝化减反膜层,通过从下至上依次设置的氧化铝层、SiCxNy层及氮化硅层的协同配合,且SiCxNy层的C/N原子配比控制在1.0-3.5：1,SiCxNy层的C/N原子配比从氧化铝层侧至氮化硅层侧呈逐渐增大的梯度变化,SiCxNy层的厚度为5-20nm；如此,其兼具优异的抗紫外衰减、低太阳光反射率、高可见光透过率、较好的钝化效果和低复合、载流子输运优化等性能,能从根源上有效提升光伏电池的抗紫外衰减性能,有效解决其UV衰减问题,有助于提升光伏电池的开路电压、短路电流密度、填充因子、光电转换效率等电性能。
